タワーセミコンダクターが世界をリードするシリコンフォトニクス技術やEIC光プラットフォーム技術で利用可能な新しいCPOファンドリ技術を発表

イスラエル ミグダルハエメク — 2025年11月12日 — 高付加価値アナログ半導体ソリューションのリーディングファンドリであるタワーセミコンダクター（NASDAQ/TASE: TSEM）は本日、積層型BSIイメージセンサ向けに開発され、既に量産実績を持つ300mmウェハボンディング技術を拡張し、業界をリードするシリコンフォトニクス（SiPho）やSiGe BiCMOSプロセスを組み合わせたヘテロジニアス3D-ICインテグレーションを可能にする新技術を発表しました。この新技術は、Cadence設計ツールによる積層プラットフォーム技術の完全なサポートも含まれ、複数のPDKを同時に使用する必要があるウェハスケール3D統合を、イメージセンサ分野以外の新たな領域へ拡大する大きな一歩となり、データセンターアプリケーション向けの小型・高性能システムへの高まる需要に対応します。

200mmおよび300mmウェハでの積層型センサー量産で培った長年の実績を基盤に、タワーのウェハボンディング技術は、SiPho（PIC：フォトニックIC）とSiGe（EIC：エレクトロニックIC）を組み合わせるといった異種類のウェハを積層し、ウェハレベルで完全に統合された3D-ICを実現します。この技術により、異なるプロセス技術で実装された特定用途向けの機能を単一の高密度チップに集積でき、より高い機能性と性能を極小のフォームファクタで提供します。こうしたウェハスケール3D-IC技術は、PICとEICを融合するCo-Packaged Optics（CPO）など、コンパクトかつ高性能なインテグレーションが求められる新しいアプリケーション分野をサポートします。

タワーセミコンダクターの社長であるDr. Marco Racanelliは次のように述べています。「当社がCIS技術において長年培ってきた大規模なウエハスタッキングの経験が、3Dインテグレーション技術の次なる進化の基盤となりました。当社の先進的な300mmウェハボンディングプロセスは、複数のウェハ技術を単一の3D-IC上で統合することで、CPOに求められる新たなレベルの性能、機能、そして集積度をお客様が実現できるようサポートします。」

タワーはすでにウェーハボンディングプロセスの高精度なアライメントと信頼性を実証しています。このプロセス技術を補完するために、タワーはCadence Design Systemsと協力し、統一された設計環境内で複数のプロセス技術の共同シミュレーションと共同検証を可能にするVirtuoso Studio Heterogeneous Integrationフローを拡張しました。この強化されたデザインイネーブルメント力は、現在、お客様がリファレンスフローとしてご利用いただけます。

タワーセミコンダクターのカスタマーデザインイネーブルメント部門のVPであるDr. Samir Chaudhryは次のように述べています。「タワーセミコンダクターとケイデンスは、異なる技術で製作された積層ダイ向けの包括的な設計フローを提供すべく、共に取り組みました。これにより、設計者は単一のケイデンス設計プロジェクト内で、複数の技術プラットフォームから構築された3D-ICおよびウェハボンディングチップのレイアウト、接続性チェック、完全なシミュレーションが可能になります。タワーセミコンダクターのSiGe BiCMOSおよびSiPho PDKと互換性のあるこの新たな3D-IC設計フローは、両社によって完全にサポートされるようになり、異なる技術で作られた複雑な積層チップ製造における初回成功率を大幅に向上させます。」

Cadenceのカスタムデザインおよびシステムデザインと分析製品のプロダクトマネジメント担当VPであるAshutosh Mauskarは次のように述べています。ケイデンスとタワーは20年以上にわたり協力関係を築き、両社のアナログIC顧客が複雑な設計を初回で成功させることを支援してきました。タワーの技術を用いたPIC/EICサブシステム向けのDie-to-Wafer, Wafer-to-Wafer積層をサポートするヘテロジニアス統合フローの検証が完了したことで、両社の顧客は堅牢で統一された技術フローを信頼し、高品質な製品をタイムリーに提供できるようになります。

この拡張により、タワーは3D-ICおよびヘテロジニアス統合におけるリーダーシップを強化し、次世代市場全体でのイノベーションを加速する先進的なアナログソリューションを提供します。

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