タワージャズとactive-semi社、200V SOI技術でモータードライバICの生産開始を発表

イスラエル ミグダル ハエメクおよび米国 テキサス州ダラス 2018年3月19日– グローバルスペシャルティファンドリーリーダーのタワージャズは本日、同社200VパワーSOI(Silicon on  Insulator)技術を実用化したTS18SOIプロセスプラットフォームを用いて、バッテリ駆動型ガーデンツール用など新興著しいパワー市場に対応するactive-semi®社の高電圧ユニット搭載モータコントローラ/ドライバPAC5232の生産を開始したことを発表しました。TS18SOIプロセスの優れたデバイス分離スキームにより200Vまでの高電圧をサポートしながらICダイ面積をより小型化できるため、多種類の回路を搭載することが可能になります。

タワージャズの200V SOIプラットフォームは、ディープトレンチ分離による大幅なダイサイズ縮小を実現しました。ファウンドリ製品において標準とされるPN接合分離に比べて面積を最大50％削減できます。 また、接合分離技術の実用限界と言われる80Vを超える非常に高い電圧サポートと、ESD / EMCおよびラッチアップなどのノイズ懸念に対する高耐性により、回路設計を簡素化することができるため、IC開発期間短縮に貢献します。200V SOIプラットフォームは、従来のシリコンバルクプロセスでの負バイアス動作がマイナス60Vまでであったのに対して、マイナス200Vまでの負バイアス動作が可能となるほか、PN接合分離型デバイスよりも高温領域で低リークであることや、スイッチングが高速である（数10V/ナノ秒）などの長所を有します。

タワージャズのTS18SOIプラットフォームは、モータードライバ、家庭用および産業用機器、バッテリ駆動の電動工具、バッテリ制御システム、電気自動車（EV）、GaN用超高速ドライバ、産業用モータコントローラなど、幅広いアナログおよび高電圧アプリケーションに使用できます 。また、100V付近での高電圧設計仕様が必要となる車載向けの、モータードライバ、DC-DCコンバータ、バッテリ制御などのアプリケーションにも適しています。

active-semi® International、パワーソリューション部門バイスプレジデント兼ゼネラルマネジャーのDavid Briggs氏は次のように述べています。「当社の設計に必要なデバイスを決定するにあたり、タワージャズ200V SOIプロセスを、優れた製造品質と展開容易性に着目して選択しました。このプロセスと当社PAC®ソリューションとを合わせることにより、我々のターゲットである高電圧バッテリ関連パワー市場に向けて、より最適化・より小型化・より高効率化を実現することができました。」

タワージャズのバイスプレジデント兼ミックスドシグナル/CMOSおよびパワーマネージメント部門ゼネラルマネジャーのShimon Greenbergは次のように述べています。「active-semi社との長期的視点での協業により、クラス最高の200VパワーSOI技術を用いた新製品の生産をとても迅速に開始することができました。強い競争力の源泉となる高性能で特徴あるこの技術は、非常に高い動作電圧を必要とする産業、医療および車載向けなどの新たな成長市場で広く採用されてゆくでしょう。」