沿革

タワーセミコンダクターは、1993年にナショナルセミコンダクター社から、イスラエル、ミグダルハエメクの150mmウェハ工場の取得により設立され、1994年に上場企業になりました。2001年には、200mmの製造施設(ファブ2)をファブ1の隣接に建設しました。

2008年、タワー社がジャズセミコンダクター社の200mm製造施設(Fab3)を取得し、生産キャパシティの拡大、製品ポートフォリオの充実、顧客基盤の拡大とより健全な財務基盤を得ることができました。

2014年、タワーセミコンダクターはパナソニック社との合弁会社を設立したことにより、お客様に65ナノメートルで最高クラスの低暗電流性能と光量子効果の高いCMOSイメージセンサや45ナノメートルデジタル技術を含む最先端の300mm技術の提供が可能になり、日本の3工場合計で年間生産能力80万枚(8インチ換算)の増加を実現しました。

2016年、タワーセミコンダクターは、お客さまの高まるご要望に応え、製造の柔軟性を向上するために、米テキサス州サンアントニオにあるMaxim Integrated社の8インチファブを取得し、タワーセミコンダクターがグローバル展開している生産能力が拡張され、1か月あたり約28,000枚のウェハの生産増を優れた費用対効果で実現しました。