TowerJazz CIS

CMOSイメージセンサ

それぞれのニーズにカスタマイズされた最先端のイメージングソリューション

タワーセミコンダクターの先端で実証済のCMOSイメージセンサテクノロジーは、ハイエンドスマートフォン3Dカメラなど、産業用、医療用、ハイエンドフォトグラフィ、車載用およびコンシューマ向けアプリケーションで使用される光センサに対する需要の高まりにお応えします。

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タワーセミコンダクターの幅広い実績と、製品/アプリケーションのニーズに合わせてカスタマイズされたベスト・イン・クラスのパフォーマンスを持つセンサを提供できることは実証されており、CMOSイメージセンサとピクセルテクノロジーにおけるリーダーシップは、世界的な評価をいただいています。

当社は堅牢で信頼性の高い製造能力を提供するだけでなく、独自のカスタマイズプロセスを組み合わせることで、他に類のないピクセルデザインの柔軟性を実現します。タワーセミコンダクターのイメージング分野における幅広い経験とCISテクノロジーの自社開発によって、最先端のパフォーマンス、高度な機能、ミリ角サイズのデバイスから12インチウェハスケールのシングルダイまで、多様なダイサイズに対する市場の厳しい要件に応えることができます。

タワーセミコンダクターは、長期的に研究開発とテクニカルサポートに投資することで、最先端のCISテクノロジーを有し続けます。タワーセミコンダクターの成熟したプロセスをお選びいただければ、確かなカスタムデザインと豊富なソリューションをお客様に活用していただけるよう、高いスキルと経験豊富なエキスパートがサポートし、お客様の要求とプロジェクトニーズにお応えします。タワーは、顧客サポートをとても重要視しており、製品ライフサイクル全体を通して、パートナー企業をサポートします。

タワーセミコンダクターのCMOSイメージセンサテクノロジーは3種類のプロセスで提供されています:

  • 8インチ、180nm AI配線 ‐FSI、BSI及びスタックBSI 
  • 12インチ、65nm Cu配線 ‐FSI、BSI及びスタックBSI

スティッチング テクノロジーは、180nm及び65nmプラットフォーム、BSI及びFSIと、一部のスタッキングオプションで利用可能です(2マスクスティッチングと1マスクスティッチングの両方)

Core Technology Node
Wafer Size
Backend
BSI/FSI
Stiching
Note
180nm
8″
Al
BSI/ FSI
1D/2D
180nm stacked
8″
Al
BSI
Stacked to 180nm or 65nm with coring
65nm
12″
Cu
FSI/ BSI
1D/2D
65nm stacked
12″
Cu
BSI
1D/2D to 65nm
Stacking to multiple nodes, including 3rd party digital wafers

CMOS Image Sensor

対象市場

タワーセミコンダクターのCMOSイメージセンサテクノロジーの特徴

Pixel Offering Mapping

Pixel Offering Mapping

Extensive Pixel Portfolio

180nm Pixel Offerings

Pixel Size [um]
Process Node
Market
Technology
15-300
FSI
Medical
RS
3.6-6
FSI
Medical
RS
4-6
FSI
Broadcast
GS
3.6-20
FSI/BSI
Machine Vision
GS
15<
FSI/BSI
Automotive
SPAD/DTOF
5<
FSI/BSI
3D, Gesture, AR, VR
iToF

65nm Pixel Offerings

Pixel Size [um]
Process Node
Market
Technology
10<
BSI Stacked
Automotive
SPAD/DTOF
3.2-6
FSI/BSI & Stacking
DSLR/cinema
RS
1.25-3.6
FSI/BSI & Stacking
Security/Broadcasting
RS
1.25-1.75
FSI
Consumer/Medical
RS
2.5-5
FSI
AR, VR, Face Recognition
GS, iToF, Time gating
2.2-2.74
BSI & Stacking
AR/VR/Machine Vision
GS

180nm (Al配線)

  • 最も成熟かつ柔軟な1.8/3.3V または 1.8/5V CMOSプラットフォーム
  • 幅広いピクセルアーキテクチュアとテクノロジー
  • FSI低背化バックエンドと層数削減したバックエンド
  • BSI QE向上
  • 内製カラーフィルタアレイ(CFA)、ギャップレスマイクロレンズ
  • 完全にモジュール化されたプロセスオプション
  • ウェハ上に最大1ダイの大型センサを実現する1Dおよび2Dスティッチング
  • 2組のマスクセットを使用した特別なスティッチングモード

最先端65nm (Cu配線)

  • クラス最高の斜入射光特性を実現する超低背化バックエンドおよびデュアルライトパイプ
  • コスト削減を目指したBSIおよびスタック型BSI
  • クラス最高のグローバルシャッターチャージドメイン型画素ファミリーと高シャッター効率
  • 最小の2.5um グローバルシャッターピクセル
  • ウェハ上に最大1ダイを実現する1Dおよび2Dスティッチング
  • 各レイヤ2枚のマスクセットを用いた特殊スティッチング技術
 

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