組込み型不揮発性メモリ（NVM）
組込み型不揮発性メモリ（NVM）は、SoCの機能を強化し、より高いレベルのインテグレーションを実現します。
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タワーセミコンダクターのNVMソリューションは、超低消費電力、向上したエンデュランス、車載グレードのリテンション、そして高速プログラミング、短い起動時間、速い読出し時間、フィールドプログラマビリティ、高度なセキュリティなどを備えた各種サイズのメモリモジュールを提供します。タワーセミコンダクターで開発されたNVMデバイス、プロセス、および設計ソリューションは、多くの米国特許によって保護されており、CMOSデザインキットやIPが変更されることはありません。タワーセミコンダクターが独自に開発したソリューションとCMOS製造プラットフォームで検証されたMTP、FTP、OTPを主要な社外NVM IPベンダーの設計ソリューションを組み合わせることにより、アナログおよびデジタル設計者の多様なニーズに応える設計を実現します。
タワーセミコンダクターのNVMポートフォリオには様々な物理方式（下記の表参照）に基づくNVMがあり、柔軟な設計構成（例：基準電圧、電流、増幅器のオフセットなどのトリミング）、開発期間の短縮、製品テストおよび歩留り改善などのメリットがあるなど、幅広いメモリ容量をカバーし、エンデュランス/リテンション性能に対する要求を満たします。
タワーセミコンダクターは、製品設計アシスト、評価、テスト、信頼性評価など多数の組込みNVMの実装サービスを提供しています。費用対効果が高く信頼性のある形でメモリモジュールをお客様の製品に確実に統合します。
さらに、タワーセミコンダクターは、お客様と先進のNVM技術分野において共同開発を行っています。（例えば、低コストのチャージトラップ型NVM、異なるタイプのReRAM、メモリスタ、MRAM、FeRAM等）またビジネスポテンシャルの高いNVMをタワーセミコンダクターの工場へ技術移管することについても取り組んでいます。
タワーセミコンダクターで提供可能なメモリ技術
タワーセミコンダクターの全てのCMOSプラットフォームで幅広いNVMオプションが可能です。また、検証済みの社外ベンダーIPも提供しています。当社のIP製品については、IPソリューションページをご覧ください。
Yフラッシュメモリの動作原理：
プログラム/消去および読み出しのための分離トランジスタから構成されています。非対称トランジスタによる動作原理（浮遊ゲートに対する大きなドレイン容量；3Dカップリングジオメトリ）、CHEによるプログラム、BBTホールによる消去、FN NVMソリューションと比較して低電圧動作（CMOS周辺部の特別なHVデバイスは不要）、単一Poly EEPROMによる小さなセル領域（0.18μm DRで〜3μm2）、ビットラインとワードラインのみの選択によるクロスアレイ・コンフィギュレーション、車載製品（グレード0）性能保持等の特徴を持ちます。
パワーマネージメントプラットフォーム向けY-Flashモジュール
プラットフォームの特徴:
- 「柔軟なデザイン」ファミリー
- 広いVdd範囲: 2.5V–5.5V
- 1K～16Kの範囲で提供できる柔軟なサポート
- 256b～1kbの容量範囲をサポートする面積効率の良いサブファミリーの対応が可能
- 32kb・64kbのサブファミリーの対応が可能
- 10K(エンデュランス)サイクルのサポートが可能
- 車載仕様のサポートが可能
- フレキシブルなCP(チャージポンプ回路) が異なる最適化スキームをサポート可能
- 700Vプラットフォームをサポートするよう調整可能
The below figure shows how the bit count-endurance is covered by different solutions provided by Tower Semiconductor technology:
