タワージャズ、巨大パワー製品市場に対応した16Vまでの電圧帯を用いる最先端300mm 65nm BCD パワーマネージメントプラットフォームを発表

ミグダルハエメク（イスラエル）、2018年5月2日 – グローバルスペシャルティファンドリリーダーのタワージャズは本日、最大16Vで動作し、24V耐圧のデバイスを搭載する最先端のパワーマネージメントプラットフォーム、300mm 65nm BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）プロセスを発表しました。生産拠点は富山県魚津市で、当社の300mm 65nm車載認証済みフローを基盤に、業界最高水準の品質とサイクルタイムを提供します。

このプラットフォームは、PMIC、ロードスイッチ、DC-DCコンバーター、LEDドライバー、モータードライバー、バッテリーマネジメント、アナログ/デジタルコントローラーなど、アプリケーションを問わず電圧16Vまでのあらゆるタイプのパワーマネージメントチップの競争力を大幅に強化します。 調査会社IHSマークイットのパワーIC担当アナリスト、Kevin Anderson氏は、この技術が対応する市場の規模は2018年で94億ドルにのぼり、その後も拡大が続くと予測しています。

タワージャズの65nm BCDプロセスは、最高の省電力性、極めて小型のダイ、最高のデジタル搭載能力、そして最小面積と最少マスク枚数との相乗効果による優れた費用対効果で、この低電圧パワー市場セグメントを牽引します。

このプロセスには、5V、7V、12V、16Vで動作する4種類の最先端パワーLDMOSトランジスタが搭載され、それぞれ現時点で最高レベルのオン抵抗とQgdパラメーターを備えています。 前述したコストや性能優位性に加え、複数のチップを単一のモノリシックなICソリューションに統合でき、従来のマルチチップモジュール構成に比べてシステムのコスト構造およびパフォーマンス改善が可能となります。

タワージャズのパワートランジスタは分離性能に優れているとともに、オン抵抗も5V LDMOSに対して1mΩ*mm²未満と極めて低く、メガヘルツ（MHz）級のスイッチング周波数で動作する製品に対しても、65nm BCDパワートランジスタのQgdが2.6mΩ*nCと非常に低いことが利点です。さらに、1層もしくは2層の3.3um厚のCu配線層を使用することで、極めて低い配線抵抗を実現しています。また65nm BCDは、5V系でアグレッシブな113Kgate/mm²、1.2V系は 800Kgate/mm² のデジタルライブラリを提供します。

タワージャズのパワーマネージメントおよびミックスドシグナル/CMOSビジネスユニット担当のバイスプレジデント兼ゼネラルマネージャー、Shimon Greenberg氏は次のように述べています。「この新しい65nm BCDプラットフォームは、16Vまでの電圧帯のパワーアプリケーション向け成長市場における、タワージャズの技術的リーダーとしての地位を確立するものです。低電圧パワーマネージメントという巨大な市場セグメントに注力している当社には、早期導入を目指すお客様から非常に高い関心が寄せられており、2018年第4四半期までに量産体制を整備する計画です」

タワージャズは、2018年5月13日から17日までシカゴで開催される第30回パワー半導体デバイスおよびIC国際シンポジウム（ISPSD）に出展します。

タワージャズの65nm BCD技術の詳細は、http://www.towersemi.com/jp/power-management.htmlをご覧ください。