TECHNOLOGY/R&D & INNOVATION

ADASおよび自動運転に求められる要件に対応したタワージャズの先端のパワー、CMOSイメージセンサ、アナログRF製造テクノロジー

タワージャズは先進的なテクノロジーソリューション、マーケットリーダーとの緊密なパートナーシップ、お客様とのロードマップの共有、世界レベルのグローバルカスタマーサポートを通じて、自動車市場におけるアナログデバイスへの需要増大に対応しています。

MarketsandMarkets(マーケットアンドマーケット)社の調査によると、車載半導体の69%はアナログデバイスが占めています。ワイヤレス通信、レーダー、カメラ、LEDヘッドライト、LiDAR(光検知および測距)等の高度な機能に対する需要の一層の高まり、および自動車の電子化という全体的な傾向が車載向け半導体市場の成長をけん引しています。

タワージャズでは多くの先進的なテクノロジーにより、パワーマネジメント、CMOSイメージセンサ、RF/高性能アナログ分野での自動車向けアナログICの需要の高まりに対応しています。  以下は各テクノロジー分野の概要です。

パワーマネジメント

モーター制御、LEDヘッドライトのドライバ、LiDAR(光検出および測距)から新しい車両の48Vパワーアーキテクチャに至るまで、タワージャズではバルクプロセスやSOIプロセスによる差別化された技術で自動車業界の主要なお客様をサポートしています。当社のパワーマネジメント技術は多種多様なデジタルライブラリと様々な用途に適用できるメモリ(OTP、MTPとも)により、高集積化を可能にしています。この技術によるクラス最高のスイッチング用パワートランジスタは、1.8Vから最大で200Vまでの高効率なデバイス設計をサポートするようオン抵抗が低くなっています。当社では200V SOIおよび140Vバルクプロセスを高い信頼性、高温によるモデリング、および強固なESDソリューションを伴う追加のアイソレーションスキームと共に提供しています。また、小型化されたBOM向けに高速スイッチング素子も提供しており、自動車業界の主要なお客様と共同で技術プラットフォームを拡大しています。自動車市場でデバイスが最高の性能を発揮できるように、当社はお客様と緊密に連携してお客様のニーズ毎にデバイスをカスタマイズしています。当社のプラットフォームには柔軟性があり、お客様が既存の回路を再利用して設計期間を短縮し、リスクを減少させることを可能にしています。タワージャズではお客様に常時製品をご提供できるように、地理的に離れた少なくとも2つの工場で主要なすべてのパワーマネジメント・フローを用意しています。  

CMOSイメージセンサ(CIS)

近年、カメラベースのセンサーは道路標識検知、車線逸脱警報、ライトビーム制御、パーキングアシスト(フロント/サイド/リアカメラ)、そして運転者のモニタリングに至るまで、広範なタスクに対応するようになってきています。  カメラベースのセンサーは十分に明るい状況か、通常の明るさの下では優れた分解能を示しますが、暗所、雨、霧、雪等の厳しい条件の下では急激にパフォーマンスが低下します。2つの補完的なイメージング技術である赤外線イメージングとLiDARにより、このような障壁を克服しています。赤外線熱画像は、解像度は低いものの、厳しい条件下において高い感度が得られ、レーザーベースのLiDARは3Dイメージングで高い空間分解能と正確な距離測定能力が得られます。これらのセンサーを共用することで、運転者は周囲の状況について完全に把握することができます。タワージャズは3タイプのイメージセンサーソリューションすべてを提供しています。  当社の低暗電流4T、5Tそして最新の6Tグローバルシャッターピクセルは、ハイダイナミックレンジ(最高で120dB以上)、高フレームレート、最高で4KのUHDカメラによるイメージングを可能にしています。  MEMSベースのボロメータ技術により優れた低光IR熱画像処理能力を実現しています。  また、クラス最高のアクティブゲート型ピクセルと単一光子アバランシェフォトダイオード(SPAD)技術により、業界随一のLiDARアプリケーション向けタイム・オブ・フライト(ToF)方式による感知が可能になっています。タワージャズでは200mmおよび300mmのウエハサイズのいずれについてもCISファンドリソリューションを提供しており、3大陸にある4つのファブで製造しています。

RFおよびHPA(ハイパフォーマンスアナログ)

レーダーは今日、自動車のRF半導体コンテンツの多くの部分を占めていますが、コネクティビティ・ソリューションも急速に増加しています。車載用向け高性能レーダーでは、高い周波帯(24~26GHz:ショートレンジ、76~81GHz:ロングレンジ)が必要となっています。タワージャズのSiGeテラビットプラットフォームはこのエキサイティングかつ成長中の市場にとって理想的です。当社のSiGeテクノロジーであるSBC18H2からSBC18H5は240~300GHzのFtおよび280~340GHzのFmaxを提供しており、個別のアプリケーションにおいてトレードオフの関係にあるスピードとノイズの関係について、お客様のニーズに合った性能を選択することができるようになっています。当社のSiGeテラビットプラットフォームでは1.8V/3.3V(180nm)と1.2V/3.3V(130nm)の2つのCMOSオプションがあります。  当社のすべてのSiGeテクノロジーはカスタマイズが可能なメタライゼーションスキームおよび高性能受動素子(MIMキャパシタおよびインダクタ)を提供しており、お客様の個別のエンドアプリケーションに対応できます。よりコストを意識したアプリケーション向けには、当社の魚津工場(日本)で完全な65nm RF-CMOSテクノロジープラットフォームを提供しています。ワイヤレス通信ソリューション向けとしては、当社では低ノイズアンプ用スイッチおよびノイズフィギュア向けにクラス最高のRon-Coff特性を有する先進的なRF-SOIおよびRF-CMOSテクノロジーに加えて、フロントエンドモジュールのオンチップRFプラットフォームを提供しています。  

これらのプロセスの詳細については、こちらをご覧ください。

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