Micro-Electro-Mechanical Systems (MEMS)
MEMSセンサやアクチュエータが求める複雑なニーズに対応するため、世界水準のMEMSファンドリ支援ソリューションを提供しています。
タワーセミコンダクターは、グローバルに展開する製造拠点を活用し、ハイエンド、産業、医療、コンシューマー市場向けに、加速度センサ、ジャイロスコープ、MEMS発振器、スイッチ、ミラー、音響センサおよびアクチュエータなど幅広いMEMSデバイスに対応する大量生産対応の製造ソリューションを提供しています。
また、モバイル無線通信向け高性能アンテナチューニングおよびスイッチング、センサデバイスの赤外線測定、電源管理用ASIC、駆動・制御用IC（コンパニオンCMOS IC）などのMEMS技術を保有しています。
協業型パートナーシップ
タワーセミコンダクターは、協業型のパートナーシップモデルを重視し、豊富なファンドリ経験を活かしてMEMSプロセスを提供しています。顧客志向の専門チームが、より高度に集積されたアナログ製品の市場投入を支援します。
MEMSファンドリの実績と体制
タワーセミコンダクターは、200mmおよび300mmの製造ラインを活用し、15年以上にわたるMEMS量産の実績を有しています。大手企業からスタートアップまで、技術アイデアの段階から量産化までを一貫して支援しています。
ウェハプロセス技術:
エッチング技術
ディープリアクティブシリコンエッチ、厚膜酸化膜エッチング、厚膜金属のエッチング
- ディープトレンチアイソレーション
- SOI上のシリコンMEMS（1μm以下の幅、10〜100μmの深さ）
- ウェハ厚に達する100μm超の深堀り
- 厚膜金属、ディープビア、TSV
リリース工程
利用可能な装置とレシピ:
- 誘電体、ポリマー、Siなどの第4族材料に対応
- 気相法によるリリース
- 吸着防止／貼り付き防止
特殊基板・材料
- ガラス、SOI、FZウェハ
- SSP（片面研磨）およびDSP（両面研磨）
- Cu、Al、W、Ti、Taなどの金属
- 磁性材料
- 低応力ポリシリコン層、低応力SiN層
成膜技術
- 金属：PVD、CVD、蒸着、メッキ
- 誘電体：PECVD、SACVD、HDP
- ALD（原子層堆積）
フォトリソグラフィー
- 4Xステッパー、1Xアライナー
- 裏面アライメント
- 厚膜フォトレジスト対応
モノリシック集積
同一ウェハ上でのインテグレーション
- CMOS＋ME
- BiCMOS + MEMS
- HVCMOS + MEMS
- ガラス基板対応
ウェハボンディング
- フュージョンボンディング
- ハイブリッドボンディング
その他のプロセス
- CMP（化学機械研磨）、研削
- SEM、AFM、応力測定、X線回折（XRA）
製造体制と品質管理
- ISO規格に準拠した品質管理体制
- MEMS向けに最適化されたCMOS製造ライン
コントロールチップ技術
- ASIC、ROIC、コントローラなどの設計
- チャージポンプ用CMOS技術