※本リリースは2025年6月3日に発表されたリリースを訳したものです
タワーセミコンダクターがIMS 2025で高周波ファンドリテクノロジーの最新イノベーションを発表
pSemi社と共同開発した次世代RFスイッチ技術の論文が「最優秀産業論文賞」にノミネート
イスラエル、ミグダル ハエメク、2025年6月3日-高付加価値アナログ半導体ファンドリソリューションのリーダーであるタワーセミコンダクターは本日、カリフォルニア州サンフランシスコで6月16～21日に開催されるInternational Microwave Symposium(IMS) 2025に参加し、同社の先端のRF & HPAテクノロジープラットフォームとRFスイッチの最新技術を紹介することを発表しました。このカンファレンスの技術プログラムの中でpSemi社と共同発表する論文:「A Low-Loss, Wideband, 0–110 GHz SPDT Using PCM RF Switches with Integrated CMOS Drivers」は、IMS 2025で最優秀産業論文賞にノミネートされています。
この論文は、タワーセミコンダクターのRFSOI CMOSプロセスでモノリシック集積化PCM RFスイッチを活用した業界初の広帯域単極双投（SPDT）スイッチについて解説しています。主な特長は、超広帯域性能（DC～110GHzにわたってインサーションロス2dB未満）、MIPI RF-FEインターフェース（PDKで提供）を備えた集積化CMOSドライバを用いたデジタル制御、30dBmのパワー処理能力、そして現行のRFSOI CMOS SPDTよりも15～20dB優れたリニアリティ性能などです。超低損失、広帯域、ハイパワー、そしてCMOS/デジタルの完全な統合により、エンドユーザー向けの実装が簡素化され、5Gや将来の6G、衛星通信、ビームフォーミング、ミリ波アプリケーション向けの先端回路が実現できます。
講演スケジュール:
A Low-Loss, Wideband, 0-110 GHz SPDT Using PCM RF Switches with Integrated CMOS Drivers
タワーセミコンダクター、主任研究開発技術者Dr. Nabil El-Hinnawy
Th1Bセッション内:Innovative RF Switches, Varactor and Modulator Technologies (詳細のプログラムはこちらから).
日時:2025年6月19日 8:20AM(現地時間)
場所: 205
カンファレンス期間中は、当社のエンジニアリングチームと直接意見交換いただける機会をご用意しております。ぜひ当社ブース#655までお越しください。
IMS 2025の詳細については、こちらをご覧ください。
当社のRFプラットフォームに関してはこちらをご覧ください。
タワーセミコンダクターについて
タワーセミコンダクター株式会社(NASDAQ:TSEM,TASE:TSEM)は、高付加価値のアナログ半導体ソリューションのファンドリ リーダーとして、コンシューマー、産業機械、車載用、モバイル、インフラ、医療用、航空宇宙・防衛などの成長市場で集積回路 (IC)の技術・開発・製造プラットフォームを提供しています。タワーセミコンダクターは、長期的なパートナーシップと先端の革新的なアナログテクノロジーの提供を通じて、意義あるサステナブルインパクトを創造することに注力し、SiGe、BiCMOS、ミックスドシグナル/CMOS、RF CMOS、CMOS イメージセンサ、non-imaging sensor、ディスプレイ、パワーマネジメント(BCD および 700V)、フォトニクス、MEMS など、 カスタマイズが可能なプロセスプラットフォームを幅広く提供しています。また迅速かつ正確なデザインサイクルを実現する世界クラスの設計支援環境を提供し、IDM やファブレス企業向けにはプロセス移管サービスを提供しています。複数のファブを使ってサービスを提供するために、タワーセミコンダクターはイスラエルに 2 か所(150mm と 200mm)、米国に 2 か所(200mm)、またタワーセミコンダクター が 51%の株式を保有する日本のTPSCoに2 か所(200mm と 300mm)の生産拠点を保有し、イタリアのアグラテでは300mm工場をSTと共有、またニューメキシコ州のインテルの300ｍｍ工場でも生産が可能となっています。詳細はwww.towersemi.comをご覧ください。
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