Xperiとタワーセミコンダクターが3D積層型イメージセンサ技術の新ライセンスを発表

カリフォルニア州サンノゼ、イスラエル・ミグダル ハエメク、2020年6月10日–Xperi Holding Corporation(NASDAQ:XPER)、以下「Xperi」)と高付加価値のアナログ半導体ファンドリソリューションのリーダーであるタワーセミコンダクター(NASDAQ/TASE:TSEM、以下「タワー」)は、本日、Invensas ZiBond^® と DBI^® 3D半導体相互接続技術に関するタワーへのライセンスについて発表しました。この技術は、タワーにおいて300mmと200mmウエハのTime of Flight(ToF)、産業用グローバルシャッター及びその他のCMOSイメージセンサ向け最先端の積層型BSIセンサプラットフォームの製造を補完するものになります。さらに、タワーセミコンダクターは、Invensasの活用を追求し、メモリやMEMSデバイスなど、より幅広い用途への3Dインテグレーション技術を実現します。

タワーセミコンダクター、センサ事業部上級副社長兼ジェネラルマネジャーのDr. Avi Strum氏は次のように述べています。「私たちの迅速なポートフォリオ拡大において、ダイレクト及びハイブリッドのボンディング技術に関するXperiのリーダーシップにより、次世代アプリケーションを開発する中で急速に進化する我々の顧客ベースの要件をサポートすることが可能になります。3Dスタッキングアーキテクチャとインテグレーションは、モバイル、自動車、産業用、ハイエンドフォトグラフィアプリケーション向けのイベント駆動型やToFセンサなど、最高価値で実証済みのアナログ半導体ソリューションを提供するという私たちの戦略の核となります。」

最近リリースされたハイブリッドボンディングのフルデザインキットにより、タワーのお客様は、イメージャウエハとミックスドシグナルCMOSウエハの2つの異なるウエハで製品を設計できるようになりました。これらのウエハは、ピクセルレベルでの電気接続を伴って積層されます。その接続ピッチは、ダイレクトToF(dToF)やイベント駆動型センサなどのアプリケーション向けの10umピッチから、顔認識アプリケーション用モバイルToFなど向けに2.5umまたはそれ以下になります。この2つのウエハへの分離により、CMOS側では非常に高速な回路、イメージャー側では裏面照射による非常に高い感度の画素と60℃で1ele/sec/μm2以下という非常に低い暗電流性能を可能にします。また、タワー独自のプラットフォームにより、近赤外線感度向上のためにさまざまなエピ膜厚を使用することができます。

Xperiの完全子会社であるInvensas社長のCraig Mitchell氏は次のように述べています。「タワーセミコンダクターは、世界中のお客様をリードする信頼できるアナログファンドリパートナーとしての地位を強化し続けています。当社のZiBondとDBI技術は、幅広いデバイスの製造をサポートしています。当社はタワーセミコンダクターと提携し、基盤となる3Dインテグレーション技術を車載用、モバイル用、産業用アプリケーションでますます活用されると予想し、特にToFセンサを中心としたさまざまな新しいセンサに展開することを嬉しく思います。世界中のメーカーが進化する業界のニーズに対応するための地位を築いていくことをXperiは推進してきましたが、このパートナーシップはこの勢いを強力に継続していきます。

自動車、産業、モノのインターネット、エッジ・コンピューティング、コンシューマーデバイス市場の新しいアプリケーションの波を実現するために、産業の勢いは、より小さく、より薄く、より高性能な3D半導体分野で広がっていくでしょう。Invensasは、要求されるサイズと性能の要件を満たす3D積層チップを作るために必要な半導体パッケージング技術と相互接続技術には欠かせない進歩を達成しています。Invensas  ZiBond直接ボンディング技術とDBIハイブリッド技術は、高スループット、低コストの製造プロセスに最適です。