※本リリースは2020年8 月3 日に発表されたリリースを翻訳したものです

タワーセミコンダクター、画期的性能を備えた新しいRFスイッチ技術を発表

Ron-Coffが10fs未満という最高特性を持つ5Gおよび高性能RFスイッチ市場向け最先端ソリューション

この新技術は、IMS2020で発表され2021年のシャトルプログラムで利用可能

イスラエル ミグダル ハエメク2020年8月3日 – 高付加価値のアナログ半導体ファンドリソリューションのリーダーであるタワーセミコンダクター(NASDAQ/TASE:TSEM)は、本日、5Gおよび高性能RFスイッチ市場をターゲットとした、最高の性能指数を持つ新しい高周波(RF)スイッチ技術を発表しました。この新しいスイッチ技術は、モバイル、基地局、ミリ波通信などのアプリケーションにおいて、より効率的で新たなRFシステムアーキテクチャを実現します。タワーセミコンダクターは、この技術を次世代製品に採用するために、複数のお客様やパートナーと契約しています。

最先端のアプリケーションで現在使用されているスイッチ性能はRon-Coff が70-100fsですが、この新しいスイッチ技術は、<10fsという記録的な値を誇ります。このスイッチは、MHzから5Gで説明されているすべての周波数帯域、さらにはミリ波までの非常に広範囲の周波数で動作します。 これにより、挿入損失が極めて低くなり、デバイスサイズも非常に小さくなります。

また、このスイッチは不揮発性であるため、オン状態またはオフ状態のときにエネルギーを消費しないので、IoTや他の超低消費電力が必要な製品アプリケーションにとって魅力的です。最終的に、SiGe BiCMOSやパワーCMOSなど他のプロセスプラットフォームの一部と統合することで、この特許技術の汎用性を実証しました。

タワーセミコンダクターは、2021年のシャトルプログラム(MPW)でお客様向けに提供予定です。

この新しい高周波スイッチは、IMS2020 (International Microwave Symposium)のTu1G: Innovative RF Switches and Applicationsセッション(Tu1G-2およびTu1G-5)で発表予定です。この発表では、タワーセミコンダクターでのプロセスインテグレーション、デバイス、および回路の評価結果が報告されます。

ライブストリームイベントは、2020年8月4~6日に開催されます。プレゼンテーションについての詳細は、IMS2020イベントホームページをご覧ください。

タワーセミコンダクターのRF&HPAプロセス技術の詳細については、こちらをご覧ください。

タワーセミコンダクターのプロセス技術に関する詳細は、こちらをご覧ください。

タワーセミコンダクターについて

タワーセミコンダクター株式会社(NASDAQ:TSEM,TASE:TSEM)は、高付加価値のアナログ半導体ソリューションのファンドリリーダーで、コンシューマー、産業機械、車載用、モバイル、インフラ、医療用、航空宇宙・防衛などの成長市場で集積回路(IC)の技術・製造プラットフォームを提供しています。タワーセミコンダクターは、長期的なパートナーシップと先端の革新的なアナログテクノロジーの提供を通じて、意義あるサステナブルインパクトを創造することに注力し、SiGe、BiCMOS、ミックスドシグナル/CMOS、RF CMOS、CMOSイメージセンサ、non-image sensor、パワーマネジメント(BCDおよび700V)、MEMSなど、カスタマイズが可能なプロセスプラットフォームを幅広く提供しています。また迅速かつ正確なデザインサイクルを実現する世界クラスのデザインイネーブルメントを提供し、IDMやファブレス企業向けにはTransfer Optimization and development Process Services(TOPS:プロセス移管サービス)を提供しています。複数のファブを使ってサービスを提供するために、タワーセミコンダクターはイスラエルに2か所(150mmと200mm)、米国に2か所(200mm)、TPSCoが保有する日本の3か所(200mmと300mm)に生産拠点があります。詳細は www.towersemi.com をご覧ください。

 

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