タワーセミコンダクターとQuintessentが統合型量子ドットレーザを用いたファンドリシリコンフォトニクスプラットフォーム開発のためのパートナーシップを発表

イスラエル ミグダル ハエメクおよび米国、カリフォルニア州 サンタバーバラ -2021年9月2日– 高付加価値のアナログ半導体ファンドリソリューションのリーダーであるタワーセミコンダクター(NASDAQ/TASE:TSEM)とレーザー統合型シリコンフォトニクスICのリーダーであるQuintessentは本日、人工知能/機械学習および分散型コンピューティング(データセンター)における光接続市場に向けた、世界初の統合型量子ドットレーザを用いたシリコンフォトニクス(SiPho)プロセスを共同開発することを発表しました。市場調査会社Yoleによると、データセンター向けのシリコンフォトニクストランシーバ市場は、CAGR40%で急速に成長し、2025年には35億ドルに達すると予測されています。

この新しいファンドリプロセスは、タワーの業界をリードするシリコンフォトニクスプラットフォームPH18　をベースに、QuintessentのIII-V量子ドットベースのレーザーと光増幅器を追加して、一連のアクティブおよびパッシブ-シリコン・フォトニクス素子の完全な組み合わせを実現し、その性能は標準的なファンドリシリコンフォトニクスプロセスにおける業界初の統合型光学利点を実証します。。最初のプロセス デザイン キット(PDK)の提供は2021年に予定されており、その後2022年にシャトルサービス(MPW)が予定されています。

カリフォルニア大学サンタバーバラ校（UCSB）教授でQuintessentの共同創設者であるDr.John Bowers氏は次のように述べています。「Quintessentとタワーは、この取り組みにより統合型シリコンフォトニクスのフロンティアを再定義しています。私は、量子ドット材料独自の利点を生かしたシリコン上の最新の高性能レーザーと光集積回路の展望に非常に期待しています。」

回路素子レベルでのシリコンフォトニクスとレーザーおよび増幅器を統合することにより、全体的な電力効率を改善し、オンチップ損失バジェットなどの従来の設計上の制約がなくなり、パッケージングが簡素化され、新しい製品アーキテクチャや機能を実現します。例えば、統合型レーザーを備えたシリコンフォトニクストランシーバーやセンサ製品は、チップレベルまたはウェハーレベルで完全なセルフテストが可能です。これらのメリットは、半導体量子ドットをアクティブな光ゲイン媒体として採用することによってさらに強化され、これにより、より高い信頼性、低ノイズ、より高温で効率的に動作するデバイスが実現します。

タワーセミコンダクターのエグゼクティブディレクター、フェローのDr. David Howardは次のように述べています。「III-Vレーザーダイオードを当社のシリコンフォトニクスプラットフォームに採用することで、シングルチップフォトニクス集積回路(PIC)設計が可能になります。つまり、III-V族量子ドット増幅器とレーザー、タワーのシリコンフォトニクスパッシブ素子とアクティブ素子の両方が、単一のMPWチップランを通してファンドリによって提供できることを意味します。

Quintessentの共同創設者兼CEOであるDr. AlanLiuは次のように述べています。「私たちは、量子ドットゲイン機能をタワーの実績のあるシリコンフォトニクスプロセスと組み合わせることで、革新的な新機能を実現できることを嬉しく思います。 このプラットフォームは、他のアプリケーションの中でもとりわけ、AIトレーニングシステムや分散型コンピューティングを制限する接続のボトルネックを解決する大きな可能性を秘めています。」

拡張されたPH18プロセスは、DARPAのユニバーサル・マイクロスケール光学システム(LUMOS)プログラムの一部です。このプログラムは、商業用および防衛用途に対応し、高度なフォトニクスプラットフォームに高性能レーザーをもたらすことを目的としています。

タワーセミコンダクターのシリコンフォトニクスプラットフォームの詳細については、こちらをご覧ください。

Distribution Statement A – Approved for Public Release, Distribution Unlimited.