タワーセミコンダクター、高電力・高電圧ICを支える最先端のパワーマネジメントプラットフォームを拡充

イスラエル ミグダル ハエメク 2022年5月9日 – 高付加価値アナログ半導体ソリューションのリーディングファンドリであるタワーセミコンダクター (NASDAQ/TASE:TSEM)は、本日、最新の65nm BCDの第2世代をリリースしました。動作電圧を24Vにまで拡張し、オン抵抗を20％削減する進化したパワーマネジメントプラットフォームです。さらに、180nm BCDプラットフォームについては、素子分離オプションとしてディープトレンチアイソレーションを追加することで、125Vまでの電圧範囲で最大40％のダイサイズ縮小を可能にしたことを発表しました。今回の発表は、より高い電圧と電力効率を有するパワーICに対する需要が高まっていることに対応しており、2026年までに255億ドルを超えるパワーIC市場（YoleDéveloppement：Yole社による市場調査より）をサポートするタワーのリーディングポジションをさらに強化します。

タワーの65nm BCDプラットフォームは、90nmよりも微細なBCD分野で電力性能、コスト、使い易さにおいて最先端の性能指数を有することが知られています。第2世代の65nm BCDは、LDMOSデバイスのオン抵抗低減によって消費電力とダイサイズ指標を最大20％良化させると同時に、動作電圧上限を16Vから24Vにまで拡張しました。これらの進化は、充電器、高出力モータードライバ、各種電力変換器などの用途に加えて、コンピューティングや消費者市場でのCPUおよびGPU用の高出力電圧レギュレータなどを含むモノリシック高出力変換機の要望にもしっかりと対応しています。

同社の180nm BCDは、適用電圧範囲、素子分離方式、電力性能、ダイサイズ、マスク数などにおいて、業界で最も幅広い選択肢を有する競争力あるプラットフォームです。180nm BCDディープトレンチアイソレーション方式(DTI)は、IC内部でのノイズ耐性を向上させます。この分離オプション追加によってIC用途に応じた分離方式の選択肢が増えることで、柔軟な設計が可能になり、最大40％のダイサイズ削減につながります。これらの特徴は、120V以上の電圧保持ICを必要とする48Vシステムの市場の展開拡大をサポートする戦略に基づくものです。特に、高電圧ゲートドライバ、電力変換器、モータードライバ、自動車用48Vシステムなど、産業用および自動車用アプリケーションに向け、小さなＩＣダイの内部で駆動電圧が異なる複数の回路ブロックを扱う際の絶縁分離性能要望に応えています。

タワーは、2022年5月10日~12日、ドイツ、ニュルンベルクで開催されるPCIM2020に出展します（ブース#6-431）。

タワーのパワーマネジメントテクノロジーの詳細については、こちらをご覧ください。