次世代AI・サーバー電源システムに向け、タワーセミコンダクターとSwitch Semiconductorが業界最高効率を実現する技術協力を発表

イスラエル、ミグダル ハエメクおよびテキサス州リチャードソン — 2025年11月17日 – 高付加価値アナログ半導体ソリューションのリーディングファンドリであるタワーセミコンダクター(NASDAQ/TASE: TSEM)と、ファブレス電源管理会社であるSwitch Semiconductorは本日、タワーの業界をリードする65nm BCDプラットフォーム上で設計された高効率のモノリシック12V Point-of-Load(POL)降圧レギュレータ「SW2001」を発表しました。

SW2001は、サーバー、AIコンピューティングシステム、クラウドストレージ、通信インフラなど要求の厳しいアプリケーションを対象としています。Switch Semiconductorの特許技術「Novo-Drive™」ゲートドライバ技術と、タワーの65nm BCDパワーマネジメントプラットフォームによる超低オン抵抗とクラス最高の性能指数を持つLDMOSデバイスを採用し、20A負荷時12Vから1Vへの変換で最大87%の効率を達成するとともに、スイッチノードのオーバーシュートと放射ノイズを大幅に削減します。評価ボードを含めたサンプル出荷は2026年第1四半期に開始され、量産は年内を予定しています。

Mordor Intelligenceによると、モノリシックパワーステージ市場は年平均成長率10%で成長しており、2030年には37億3000万ドル規模に達する見込みです。

SW2001はタワーセミコンダクターの65nm 300mm BCDプラットフォーム上で製造され、超低オン抵抗LDMOSデバイスと、低マスク数でのデジタル・アナログCMOS統合機能を備えています。これにより、優れた電力変換効率、スケーラビリティ、熱信頼性を実現し、AIアクセラレータや高性能サーバーシステムに最適です。

タワーセミコンダクターのパワーマネジメント事業部の共同ゼネラルマネジャーのMete Erturk博士は次のように述べています。「タワーの65nm BCDプラットフォームは、統合能力、信頼性、業界をリードする低抵抗デバイスを提供し、顧客が電力性能の限界を押し広げることを可能にします。Switch Semiconductorが当社のプロセス技術を採用し、次世代の電力ソリューションを市場に提供することに協力できることを嬉しく思います。」

Switch Semiconductorの創設者兼CEOであるRoss Teggatz氏は次のように述べています。「SW2001は、Switch SemiのNovo-Drive技術とタワーの先進的なBCDプロセスを組み合わせることで業界最高クラスの効率と電力密度を実現しました。これは、ロボティクス、インテリジェントモーション、データセンター電源システム向けの革新的なスイッチングソリューションへの広範な展開の始まりであり、次世代のコンピューティングとオートメーションの増大する需要に対応します。」

SW2001は、業界で広く使用されている21ピン配置のコンパクトな3×4mmパッケージで、高効率、EMI低減、優れた電力密度を提供します。これにより、設計者はシステムレイアウトを再設計することなく性能を向上させることができます。この製品は、Switch Semiconductorの成長するロードマップの第一弾であり、今後はモノリシックPOLコンバータやスタンドアロンNovo-Driveゲートドライバの開発を進め、高性能コンピューティングやロボティクス用途に対応していきます。

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