タワーセミコンダクターとCoherent、量産対応SiPhoプロセスにおいてシリコン変調器を用いた400Gbps/レーンのデータ伝送を実証

イスラエル ミグダル ハエメク、2026年3月23日 — 高付加価値アナログ半導体ソリューションのリーディングファウンドリであるタワーセミコンダクター（NASDAQ/TASE: TSEM）と、フォトニクス分野のグローバルリーダーであるCoherent Corp.（NYSE: COHR）は本日、量産対応のシリコンフォトニクス（SiPho）プロセスで製造されたシリコン変調器を用い、400Gbps/レーンのデータ伝送を実証したことを発表しました。本成果は、次世代3.2T光トランシーバーの実現をターゲットにしたものであり、データセンター用途におけるプラガブルトランシーバーおよびコパッケージドオプティクス（CPO）におけるシリコン技術の可能性をさらに拡張するものです。

本変調器の詳細は先週開催されたOFCにて発表されました。デモンストレーションでは、420Gb/s PAM4において良好なオープンアイパターンを確認し、CoherentのInP CW高出力レーザーを使用しました。これらの性能は、Coherentの高度な設計技術とタワーセミコンダクターの業界をリードするSiPhoプラットフォームとの強力な技術協業により実現されたものです。

光トランシーバー市場は従来予測を上回る成長を続けており、AIインフラの急速な拡大を支えるためには、次世代対応の帯域幅が不可欠となっています。

タワーセミコンダクターCEOのRussell Ellwangerは次のように述べています。「Coherentとのパートナーシップを非常に高く評価しており、この技術的ブレークスルーを大変嬉しく思います。本成果は、シリコン技術を次世代トランシーバーへと活用する可能性をさらに広げるものです。今後も当社が継続的に進めているマルチファブへの投資有効活用しつつ、次世代に向けた新材料技術の開発もすすめていきます。」

CoherentのCEOであるJim Anderson氏は次のように述べています。「タワーセミコンダクターのシリコンフォトニクスプラットフォームにおいて協業できることを嬉しく思います。両社の連携により、AI主導のデータセンター向けに高性能な光インターコネクトの実現を加速しています。」

タワーセミコンダクターのSiPho技術プラットフォームの詳細については、こちらをご覧ください。