タワーセミコンダクターの高電圧/パワー技術最新動向 

日々成長と進化を続けるコンピューティング、産業およびコンシューマ用の先端パワーIC市場に向けて、当社は業界をリードする低オン抵抗BCDを搭載した0.18um第６世代プラットフォームをリリースしました。大きな電圧ストレスが発生するスイッチング動作回路においてもより安定した大電流動作が可能になります。300mmウエハ対応の65nmBCDにおいては、24Vまでの動作電圧帯に向けて低オン抵抗BCDと超高密度ロジックとの両立を最少マスク回数で実現します。125V動作までの高電圧帯については、すでにフローティング動作が可能なバルクシリコン型RESURFプロセスをリリース済みですが、今回のセッションではさらにDTIオプション、および200V SOIプラットフォームに匹敵する160V動作帯までの対応拡大をアナウンスします。GaNやSiCデバイスをドライブする用途に向けて来年リリースする予定のGalvanic容量デバイスについても紹介します。

このセッションでは、代表的なデバイスパラメータを用いて技術全貌を紹介するとともに、必要に応じてデバイス選択、素子分離スキーム、ESDにも言及する予定です。当社のパートナーとして、技術、生産/開発管理、マーケティング等を担当される方々のご参加をお待ちしています。