Micro-Electro-Mechanical Systems (MEMS)​

MEMSセンサやアクチュエータが求める複雑なニーズに対応するため、世界水準のMEMSファンドリ支援ソリューションを提供しています。

タワーセミコンダクターは、グローバルに展開する製造拠点を活用し、ハイエンド、産業、医療、コンシューマー市場向けに、加速度センサ、ジャイロスコープ、MEMS発振器、スイッチ、ミラー、音響センサおよびアクチュエータなど幅広いMEMSデバイスに対応する大量生産対応の製造ソリューションを提供しています。

また、モバイル無線通信向け高性能アンテナチューニングおよびスイッチング、センサデバイスの赤外線測定、電源管理用ASIC、駆動・制御用IC(コンパニオンCMOS IC)などのMEMS技術を保有しています。

協業型パートナーシップ

タワーセミコンダクターは、協業型のパートナーシップモデルを重視し、豊富なファンドリ経験を活かしてMEMSプロセスを提供しています。顧客志向の専門チームが、より高度に集積されたアナログ製品の市場投入を支援します。

MEMSファンドリの実績と体制

タワーセミコンダクターは、200mmおよび300mmの製造ラインを活用し、15年以上にわたるMEMS量産の実績を有しています。大手企業からスタートアップまで、技術アイデアの段階から量産化までを一貫して支援しています。

ウェハプロセス技術:

エッチング技術​

ディープリアクティブシリコンエッチ、厚膜酸化膜エッチング、厚膜金属のエッチング

  • ディープトレンチアイソレーション
  • SOI上のシリコンMEMS(1μm以下の幅、10〜100μmの深さ)
  • ウェハ厚に達する100μm超の深堀り
  • 厚膜金属、ディープビア、TSV

リリース​工程

利用可能な装置とレシピ:

  • 誘電体、ポリマー、Siなどの第4族材料に対応
  • 気相法によるリリース
  • 吸着防止/貼り付き防止

特殊基板・材料​

  • ガラス、SOI、FZウェハ
  • SSP(片面研磨)およびDSP(両面研磨)
  • Cu、Al、W、Ti、Taなどの金属
  • 磁性材料
  • 低応力ポリシリコン層、低応力SiN層

成膜技術​

  • 金属:PVD、CVD、蒸着、メッキ
  • 誘電体:PECVD、SACVD、HDP
  • ALD(原子層堆積)

フォトリソグラフィー​

  • 4Xステッパー、1Xアライナー
  • 裏面アライメント
  • 厚膜フォトレジスト対応

モノリシック集積

同一ウェハ上でのインテグレーション

  • CMOS+ME
  • BiCMOS + MEMS
  • HVCMOS + MEMS
  • ガラス基板対応

ウェハボンディング​

  • フュージョンボンディング
  • ハイブリッドボンディング

その他のプロセス​

  • CMP(化学機械研磨)、研削
  • SEM、AFM、応力測定、X線回折(XRA)

製造体制と品質管理

  • ISO規格に準拠した品質管理体制
  • MEMS向けに最適化されたCMOS製造ライン

コントロールチップ技術

  • ASIC、ROIC、コントローラなどの設計
  • チャージポンプ用CMOS技術
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