TowerJazz technology power management

180nm BCDパワーマネジメントプラットフォーム

あらゆる製品設計に対応可能な単一プラットフォーム

タワーセミコンダクターの180nmパワーマネジメントモジュールテクノロジープラットフォームは、幅広い動作電圧に対して先端的な性能・効率・設計、および最適化したダイサイズを提供します。このプラットフォームには、モバイル、ウェアラブル、産業用および車載用など幅広いアプリケーションに最適な、種々のメモリ、高集積の1.8Vおよび5Vライブラリと先端のパワーLDMOSなど、高度なデバイス群が搭載可能です。最先端のPDK(TS18PM)によって、さまざまなデバイス分離構造やLDMOSオプションを用いた場合にも回路資産を再利用することが可能になり、製品を市場に早期投入できるだけでなく、デザインサイクルにおいて効率的にコストと時間節約することができるなど、高い信頼を得ています。

当社の180nmプラットフォームは、世界2ヶ所の製造拠点で利用可能であり、極めて柔軟な製造オペレーション、継続的な製品供給、地域に適したサービスを提供します。

   プラットフォームの特徴:  

  • 10年以上製造されているタワーセミコンダクターの0.18µm、8インチのパワーマネジメントプラットフォーム
  • CMOS、LDMOS、抵抗器、BJT、キャパシタなどを含む、どのような電源制御用途にも最適に対応する100以上のデバイス
  • お客様のパワー仕様要望に応じて最適レイアウトを提供する「スケーラブル」LDMOS設計機能をサポートしたPDK
  • 1.8V/5Vおよび5V単一のオプション
  • 5Vから200Vの超低オン抵抗LDMOS群: 8V~42V 第4世代LDMOS、42V~140V RESURF, Drain分離型 LDMOS、200V LDMOS
  • 1.5MHz以上のスイッチング周波数でも高効率な低Qgd LDMOS
  • 最大12kVの絶縁ゲートドライバーおよびデジタルアイソレーターICを可能にするガルバニックコンデンサ
  • ディープトレンチアイソレーションオプション
  • AlおよびCuの最上層メタル厚膜配線オプション
  • スマートESDツールとポストレイアウト検証
  • 最大256kbitのeNVM OTPとMTPを含む多彩なIPポートフォリオ
  • お客様にパワーIC市場で継続的な市場優位性をもたらす先進的、挑戦的な開発ロードマップ
  • TS18PMプロセスは、2カ所の製造拠点で量産対応中
Power Management 180nm

5V駆動LDMOS

高エネルギーインプラント技術(HEI)を用いた0.18µm BCD

   プラットフォームの特徴: 

  • 5V電圧設計専用にコスト効率を追求した省マスク版0.18μmパワーマネジメントプロセス
  • 最新の分離手法
  • 面積削減のためのアグレッシブなデザインルール

最大BVDSS 42V

Gen4: 低Qgdオプションを有するタワーセミコンダクター0.18µm BCD第4世代プラットフォーム

  プラットフォームの特徴:  

  • 先端の低オン抵抗を備えた0.18µm パワーマネジメントプロセス
  • 低オン抵抗によって電源ICの効率性向上、消費電力削減、温度上昇の緩和を実現
  • モータードライバ、ラップトップ、USB-C、ワイヤレス充電器、携帯電話のコンシューマ向け市場に対応
  • 12Vから42Vまでの最適なレイアウトに対応するスケーラブルなLDMOSデバイス
  • 1.5MHzを超えるスイッチング周波数での高い電力効率を可能にする低Qgdオプション
Power Management Consumer up to 42V

Gen6: トータルC/Pを向上させたタワーの第6世代0.18um BCDプラットフォーム

  プラットフォームの特徴:  

  • 第4世代0.18μmパワーマネジメントプロセス比でオン抵抗を35%低減
  • マスクレイヤー数を削減
  • モータードライバ、ラップトップ、USB-C、ワイヤレス充電器などのコンシューマ向け市場に対応
  • 最大24Vまでの動作範囲にてレイアウト最適化を実現するスケーラブルLDMOSデバイス
  • すべての条件で保証された高耐圧性能とSOA(安全動作領域)

最大BVDSS 140V

低オン抵抗およびドレイン分離型の0.18µmパワープラットフォーム

プラットフォームの特徴: 

  • ローサイド&ハイサイド用140低オン抵抗LDMOS, 140Vブートストラップダイオード、140Vフローティング対応の先端プラットフォーム。BVDSSは原則として最大180Vを確保
  • 最大65Vまでのドレイン分離型LDMOS
  • 高電圧帯での低オン抵抗特性により、高効率、低消費、小面積を実現。高密度デジタル回路搭載も容易。
  • スケーラブル設計対応、且つ高密度デザインルールからなる最新の分離手法
  • ディープトレンチアイソレーションオプション
  • 消費者向けおよび産業用途向けモータードライバ、DCDCコンバータ、バッテリーマネジメントIC、多くの分野での優位性を実現(ドローン、ロボット、電動工具、ガーデンツール、データセンター用48V DCDCコンバータ、PoE用IC、車載LEDヘッドライト制御、LiDAR等48Vパワー分野全般)
 

 最大BVDSS 200V

0.18µm 8インチSOIテクノロジー

タワーセミコンダクターの0.18μm SOI-BCDプラットフォーム(TS18SOI)は、SOI基板上で5Vから200Vまでのブレークダウン耐圧を実現しています。高密度のNVM(不揮発性メモリ)も搭載可能であり、幅広い用途にお使いいただけます。ノイズや高温時のリーク電流に敏感なアプリケーション向けの高集積・高信頼性プラットフォームであり、高密度NVMと合わせて 車載用・医療用・産業用いずれのミックスドシグナル用途においても最適な選択肢です。このプロセスにより、負電圧バイアス動作を含む任意の電圧帯で、チップサイズの最小化が可能になります。

   プラットフォームの特徴: 

  • 最大200Vまでのブレークダウン電圧に対応
  • ディープトレンチ分離および埋め込み酸化膜を特徴とするプロセスでありモータードライバ、家電、産業用機器、バッテリーマネジメントシステム、電気自動車、超高速GaNドライバ、工業用モーターコントローラなど、多様な高性能アナログ及び電源アプリケーション向けに優れた性能を提供
  • タワーセミコンダクターの優れた180nmバルクBCDプラットフォームをベースにした耐圧200VのSOI-BCDプロセス(TS18PM)
  • SOI技術採用によって、一般のファンドリ製品において標準的に用いられる接合分離構造と比較して面積が最大50%削減できる他、ESD/EMCやラッチアップに対する高い耐性、マイナス200Vまでの負バイアス動作が可能になり、高温領域でのリーク電流も抑制
Power Management High Voltage 200V 180nm