RF-SOIおよびRF-CMOSプラットフォーム

最高性能の4G/LTE および5Gフロントエンドモジュール(FEM)製品を実現する低Ron-Coff特性、高線形性、多機能プラットフォーム

タワーセミコンダクターのRF- SOIプロセスは、3層から7層メタルのCMOS プロセスと1.2V、2.5V、5Vのトランジスタを組み合わせています。さらに、当社の技術は、3世代に亘っての量産実績を経て、シリコンで実績のある正確なモデルとデザインライブラリ、そしてワールドクラスの設計環境によって、更に強化されています。

こうしたプロセスは、携帯電話に利用されるスイッチなどアイソレーションを必要とする製品に適しています。40dB以上のチャネル·アイソレーション、0.35dB以下の挿入損失、携帯電話の電力レベルにおいて-105dBc以下の高調波歪み、-117dBm以下の相互変調歪みなどの優れた特性が実証されています。低ノイズアンプは、低ノイズで高利得、高線形性に特化されたデバイスや、厚膜のCuまたはAl層で実現された低損失インダクタと統合することもできます。

アクティブデバイスに加えて、プロセスオプションとして、シリサイド・非シリサイドポリ抵抗、RF MIMキャパシタ、メタルフリンジキャパシタ(MFC)、スケーラブルな形状のインダクタ、固定形状のインダクタ、バランや変圧器が含まれています。

基板には、優れたRon-Coff特性を持つ”thin-film”と、フローティングボディ効果がなく、バルクライクな特性を示すアクティブMOSFET素子のための”thick-film” オプションがあります。

初めてプラットフォームを使用する回路設計者は、特徴付けられたデモIPとリファレンスフローの豊富なライブラリを利用できます。このプラットフォームは、試作用のMulti-Project Waferシャトルプログラムで対応可能です。

プラットフォームの特徴:

  • Sub-100fs Ron-Coff特性の2.5V NMOS
  • LNAのインテグレーション向けに特化したデバイス
  • 高容量(4fF/µm2)と高耐圧(>25V)MIMキャパシタ。リニアリティの良いメタルフリンジキャパシタ
  • 低抵抗、高抵抗ポリ、RFバラクタ、High-Qインダクタ
  • ハイインピーダンスで線形性の良いSOI基板
  • BSIM4 SOI、PSPおよびHiSIM SOIモデル
  • Alまたは低RCのCu配線
  • 1.2V、2.5V、または5Vをサポート
  • 面積効率の高いスタンダードセルライブラリ
  • スイッチスタックサイズ縮小のためのハイパワーハンドリングデバイス
  • ワイヤーボンドまたはフリップダイアセンブリ向けの高精度RFデバイスモデルおよび高速な寄生パラメータ抽出
  • 先進的な基板モデル

RF-SOI 対象市場