RF-SOIおよびRF-CMOSプラットフォーム

タワーセミコンダクターのRF- SOIプロセスは、3層から7層メタルのCMOS プロセスと1.2V、1.8V、2.5V、5Vのトランジスタを組み合わせています。さらに、当社の技術は、4世代にわたる200ミリと300ミリファブでの量産実績を経て、シリコンで実績のある正確なモデルとデザインライブラリ、そしてワールドクラスの設計環境によって、更に強化されています。

こうしたプロセスは、携帯電話に利用されるスイッチなどアイソレーションを必要とする製品に適しています。40dB以上のチャネル·アイソレーション、0.35dB以下の挿入損失、携帯電話の電力レベルにおいて-110dBc以下の高調波歪み、-117dBm以下の相互変調歪みなどの優れた特性が実証されています。低ノイズアンプは、低ノイズで高利得、高線形性に特化されたデバイスや、厚膜のCuまたはAl層で実現された低損失インダクタと統合することもできます。特殊な高電圧処理スイッチデバイスは、高RF電力および高VSWR条件下で堅牢なパフォーマンスを実現し、アンテナチューニングや基地局などのアプリケーションに最適です。 キーデザインルールの選択的な微細化は、より小型のスイッチとデジタル領域をサポートします。

アクティブデバイスに加えて、プロセスオプションとして、シリサイド・非シリサイドポリ抵抗、RF MIMキャパシタ、メタルフリンジキャパシタ(MFC)、スケーラブルな形状のインダクタ、固定形状のインダクタ、バランや変圧器が含まれています。

基板には、優れたRon-Coff特性を持つ”thin-film”と、フローティングボディ効果がなく、バルクライクな特性を示すアクティブMOSFET素子のための”thick-film” オプションがあります。

初めてプラットフォームを使用する回路設計者は、特徴付けられたデモIPとリファレンスフローの豊富なライブラリを利用できます。

このプラットフォームは、試作用のMulti-Project Waferシャトルプログラムで対応可能です。