タワーセミコンダクター、パワーマネジメントICの消費電力とダイサイズを劇的に低減する新しいテクノロジー向けデザインキットのリリースを発表

イスラエル、ミグダル ハエメク、2020年3月23日-　先進のアナログ半導体ファンドリソリューションのリーダーであるタワーセミコンダクター(NASDAQ/TASE:TSEM)は、本日、ICチップの価格競争力を高める35%以上の電力効率改善、それに相当するチップ面積縮小が可能な、新しい0.18um高性能パワーマネジメント技術のデザインキットのリリースを発表しました。この新しい技術を用いることで、最大24VまでのスケーラブルなIC動作が実現可能であり、世界的に成長しているコンシューマー用、産業用、車載用、コンピューティング用の市場にとって理想的な技術です。今回発表の新ラインナップが、当社既存の低電圧65nmパワーBCDプロセス、ならびに高耐圧140Vリサーフ・オン・バルクおよび200V SOI技術に追加されることにより、一貫したデザインツールとデザイン実績を持つ一つのファンドリ（当社）が1.2V～200Vの全動作範囲にわたって最高クラスの性能をお客様に提供できることになります。この技術は、かねてより高い評価をいただいている高性能0.18umパワーマネジメントプラットフォームシリーズの第6世代と位置付けられます。技術の多くは、前世代と互換性があり、既存の設計資産をより効率的に新しいプロセスに組み込むことができます。

タワーセミコンダクター パワーマネジメント事業部担当副社長のShimon Greenbergは次のように述べています。「お客様に当社以外にはない画期的なパフォーマンスを提供する新技術のデザインキットリリースを発表できることを非常に嬉しく思います。私たちは、お客様が高度な製品を市場に投入し、半導体市場において成長著しいパワー分野でシェアを獲得することができるよう、最先端パワーマネジメント技術の開発と提供を継続していきます。」

具体的には、このプロセスは、24V駆動時に6mΩmm²という圧倒的に低いオン抵抗のパワートランジスタを小面積、スケーラブルなレイアウト設計、および少ないマスク数で実現することによって、お客様の製品の性能向上とコスト競争力強化を両立させるものです。あらゆる動作条件において高耐圧を確保するロバストな設計は、ICの信頼性を高め、DC/DCコンバータ、ロードスイッチ、ラップトッププロセッサやファンに使用されるPMICとモータドライバ、コンシューマー、コンピューティング、車載、産業市場で使用されるドローンおよびロボットモータドライバなどの用途における、ハイパワーモノリシックICにとって理想的なプロセスです。

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