タワーセミコンダクターとpSemi、IMS 2025で権威ある業界論文賞を受賞

イスラエル、ミグダル ハエメク-2025年7月8日– 高付加価値アナログ半導体ソリューションのリーディングファンドリであるタワーセミコンダクター（NASDAQ/TASE: TSEM）は本日、2025 IEEE International Microwave Symposium（IMS）において、pSemiとの共著による論文「PCM RFスイッチおよび統合CMOSドライバを用いた低損失・広帯域0–110 GHz SPDT」が業界論文賞(Industry Paper Competition Award)を受賞したことを発表しました。この論文は、2025年6月19日に開催されたIMSの「革新的なRFスイッチ、バラクタ、モジュレーター技術」セッションで発表され、同カテゴリーにおける最優秀論文賞を受賞し高く評価されました。

今回の受賞は、タワーのPCM RFスイッチがRFスイッチ技術における重要なブレークスルーであることを示すものです。このスイッチは、帯域幅（DC〜110 GHz）、挿入損失（2 dB未満）、電力処理能力（30 dBm）、および線形性（従来のRFSOI CMOSソリューション比で+15〜20 dBの向上）という、他のRFスイッチ技術では達成が難しい画期的な性能を同時に実現しています。これらの成果は、タワーの独自技術であるBEOL（後工程）統合技術とデジタル制御の融合によって実現されており、超低損失・広帯域、高電力処理、完全CMOS統合という特長を備えています。これにより、エンドユーザーにとっての実装が容易になるだけでなく、5G、次世代6G、衛星通信（SatCom）、ビームフォーミング、ミリ波アプリケーション向けの高度な回路設計が可能になります。

タワーセミコンダクター RF事業部 バイスプレジデント兼ゼネラルマネージャーのEd Preisler博士は、次のように述べています。「このような栄誉ある賞をいただき、大変光栄に思います。今回の成果は、次世代のワイヤレス機器に向けたRFフロントエンド統合技術の進化に継続的に取り組んできた当社の姿勢を改めて示すものであり、pSemiとの戦略的パートナーシップの価値を改めて証明するものです。」

また、pSemiのセールス＆マーケティング担当バイスプレジデントである Rodd Novak 氏は、次のように述べています。「タワーセミコンダクターと共にIMSでこのように評価をいただけたことを大変光栄に思います。この受賞は、広帯域RFスイッチの研究開発において限界に挑み続けてきた私たちチームの努力の成果の結晶です。」

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