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Press Releases

タワージャズと韓国電気研究院(KERI)がタワージャズの先端0.18um SOIパワープラットフォームでゲートドライバICの試作開始を発表
Home » Press Releases *2018 年 12 月 3 日に発表されたプレスリリースの抄訳です タワージャズと韓国電気研究院(KERI)がタワージャズの先端0.18um SOIパワープラットフォームでゲートドライバICの試作開始を発表 白物家電、電気自動車用アプリケーション向けSiC MOSFET専用の高温、高電圧ゲートドライバIC イスラエル、 ミグダル ハエメクおよび韓国、チャンウォン、2018年12月3日 – グローバルスペシャルティファンドリリーダーのタワージャズは本日、先端技術を用いてパワーおよびエネルギー分野のICやシステム開発を専門とする韓国の政府研究機関である韓国電気研究院(KERI)が、タワージャズの先進のパワーSOI 0.18umプラットフォームを用いたゲートドライバICの試作を開始したことを発表しました。これらのゲートドライバICは、高い電力効率と高い電力密度を伴う電力変換器やインバータが必要な、白物家電、電気自動車などの高温、高電圧用途に適しています。 KERIのゲートドライバICは、高速動作(500kHz)と新たに追加されたショート保護機能を実現したことで、IGBT/SiC MOSFET製品よりも効率的なソリューションになると期待されています。 KERIは単一SiC MOSFETの試作品を完成させ、SiC MOSFETとゲートドライバICの両方を最適化したセットとして提供することでお客様に利点をもたらすことができると期待しています。 タワージャズの200V パワーSOI

TowerJazz to Showcase its Advanced Analog Technology Solutions and Vast Offering for the Rapidly Growing Chinese Market at ICCAD 2018, China
Home » Press Releases TowerJazz to Showcase its Advanced Analog Technology Solutions and Vast Offering for the Rapidly Growing Chinese Market at ICCAD 2018, China Company

レダーテックが次世代車載向けLiDARにタワージャズの0.18um CIS SPAD技術を採用
Home » Press Releases *2018 年11 月6日に発表されたプレスリリースの抄訳です レダーテックが次世代車載向けLiDARにタワージャズの0.18um CIS SPAD技術を採用 CMOS、CIS、SPADを一チップに統合し、自動運転やADAS分野のお客様に高いパフォーマンスを提供しつつシリコンやコストを削減 イスラエル ミグダルハエメク およびカナダ ケベックシティ、2018年11月6日 – グローバルスペシャルティファンドリリーダーのタワージャズと、拡張性に優れ、使いやすい車載用LiDAR(光検出および測距)開発プラットフォームの業界リーダーであるレダーテックは本日、CMOS、イメージセンサ、SPADを同一チップ上で組み合わせたタワージャズの0.18um CMOSイメージセンサ(CIS)SPAD(単一光子アバランシェフォトダイオード)プロセスがレダーテックの次世代車載向けLiDARソリューションに採用されたことを発表しました。タワージャズのプロセスは高PDE(光子検出効率)、高温にも対応する低DCR(暗計数率)、超低ジッタというクラス最高レベルの性能指数を可能にし、世界で最も優れた組み込みSPADを実現します。 タワージャズの0.18um CIS SPADプラットフォームは卓越した性能指数を有する統合ソリューションを提供します。そのPDEは市場における主要なスタンドアロンのSPADと同等あるいはさらに優れています。また、DCRは60℃で100Hz未満、100℃でも1kHz未満で(特に車載アプリケーションに有効)、ジッタは1ナノ秒未満です。この優れたプラットフォームはシリコンの節約にもなり、結果として量産コストを削減します。 レダーテックのLiDARソリューションによって自動車にアクティブセーフティシステムと半自律運転機能を備えることができ、完全な自動運転への道を開きます。LiDARは、レーダーの原理に基づいて動作するもののレーザーによる光を利用する検知システムで、遠距離でも高解像度での検出が可能なため自動運転に不可欠なものと考えられています。調査会社のIHS Markitによれば、車載向けLiDAR半導体の市場規模は2026年には18億ドルに達し、2018年から2026年までの年間平均成長率は37%になると予測しています。レダーテックのSoCはTier1ベンダーが極めて競争力の高い価格で量産することが可能であり、OEM各社の要件に合わせてカスタマイズされたLiDARシステムを供給します。 タワージャズはマーケットリーダーとの緊密なパートナーシップやロードマップのすり合わせ、そして世界レベルのグローバルカスタマーサービスを通じて開発されるクラス最高のテクノロジーソリューションを提供し、ADASや自動運転の要件を満たすために必要な車載向け半導体コンテンツの急速な拡大に対応しています。常にお客様に柔軟な供給や生産能力を提供できるよう、タワージャズは主要なプロセスについては地理的に離れた少なくとも2つの工場で品質認証を取得しています。 レダーテックの社長兼COOであるFrantz Saintellemy氏は次のように述べています。「当社がタワージャズを選択した理由は技術的知識の深さ、柔軟性の高さ、カスタマイズ能力、そして最高の組み込み技術を有しているからです。タワージャズとの密接な連携によって当社はより迅速にLiDARプラットフォームを市場に投入し、差別化された優れた車載向けLiDAR機能を開発しようというTier1企業に対して他にはない価値ある提案をすることができます」

TowerJazz Reports Revenues of $323 million with Net Profit of $34 million for the Third Quarter of 2018
Guides fourth quarter revenues of ~$340 million, up 5% sequentially

Tower Semiconductor Announces Plans to Expand 300mm Capacity in Japan to Support Strong Customer Demand
Home » Press Releases Tower Semiconductor Announces Plans to Expand 300mm Capacity in Japan to Support Strong Customer Demand Planned expansion supports the TPSCo announced transition

Tower Semiconductor and Nuvoton Technology Corporation Japan Announce Strategic Business Restructuring of TPSCo
Home » Press Releases Tower Semiconductor and Nuvoton Technology Corporation Japan Announce Strategic Business Restructuring of TPSCo Migdal HaEmek, Israel and Kyoto, Japan, March 25, 2026
タワーセミコンダクターとCoherent、量産対応SiPhoプロセスにおいて シリコン変調器を用いた400Gbps/レーンのデータ伝送を実証
Home » Press Releases ※本リリースは2026年3月23日に発表されたリリースを訳したものです タワーセミコンダクターとCoherent、量産対応SiPhoプロセスにおいてシリコン変調器を用いた400Gbps/レーンのデータ伝送を実証 特殊材料を使用しないシリコンMZMにより、次世代3.2T光トランシーバーを実現へ イスラエル ミグダル ハエメク、2026年3月23日 — 高付加価値アナログ半導体ソリューションのリーディングファウンドリであるタワーセミコンダクター(NASDAQ/TASE: TSEM)と、フォトニクス分野のグローバルリーダーであるCoherent Corp.(NYSE: COHR)は本日、量産対応のシリコンフォトニクス(SiPho)プロセスで製造されたシリコン変調器を用い、400Gbps/レーンのデータ伝送を実証したことを発表しました。本成果は、次世代3.2T光トランシーバーの実現をターゲットにしたものであり、データセンター用途におけるプラガブルトランシーバーおよびコパッケージドオプティクス(CPO)におけるシリコン技術の可能性をさらに拡張するものです。 本変調器の詳細は先週開催されたOFCにて発表されました。デモンストレーションでは、420Gb/s PAM4において良好なオープンアイパターンを確認し、CoherentのInP CW高出力レーザーを使用しました。これらの性能は、Coherentの高度な設計技術とタワーセミコンダクターの業界をリードするSiPhoプラットフォームとの強力な技術協業により実現されたものです。 光トランシーバー市場は従来予測を上回る成長を続けており、AIインフラの急速な拡大を支えるためには、次世代対応の帯域幅が不可欠となっています。 タワーセミコンダクターCEOのRussell Ellwangerは次のように述べています。「Coherentとのパートナーシップを非常に高く評価しており、この技術的ブレークスルーを大変嬉しく思います。本成果は、シリコン技術を次世代トランシーバーへと活用する可能性をさらに広げるものです。今後も当社が継続的に進めているマルチファブへの投資有効活用しつつ、次世代に向けた新材料技術の開発もすすめていきます。」 CoherentのCEOであるJim Anderson氏は次のように述べています。「タワーセミコンダクターのシリコンフォトニクスプラットフォームにおいて協業できることを嬉しく思います。両社の連携により、AI主導のデータセンター向けに高性能な光インターコネクトの実現を加速しています。」 タワーセミコンダクターのSiPho技術プラットフォームの詳細については、こちらをご覧ください。 タワーセミコンダクターについて
タワーセミコンダクター、第3世代 LDMOS技術によりBCD性能のリーダーシップを強化し、「AIパワーウォール」に対応
Home » Press Releases ※本リリースは2026年3月17日に発表されたリリースを訳したものです タワーセミコンダクター、第3世代 LDMOS技術によりBCD性能のリーダーシップを強化し、「AIパワーウォール」に対応 AIプロセッサ向け電源供給および高電流アプリケーションに向けた最新の電源管理プラットフォームの進展を、APEC 2026にて発表 イスラエル、ミグダルハエメク – 2026年3月17日 – 高付加価値アナログ半導体ソリューションのリーディングファウンドリであるタワーセミコンダクター(NASDAQ/TASE: TSEM)は本日、最新世代のBCD技術を発表しました。本技術は、同社の第3世代電源管理プラットフォームであり、キー技術として高電流アプリケーション向けに業界最高クラスのLDMOSを提供します。新プラットフォームは、AIデータセンターにおいて急増する電力需要に加え、先進的なモバイルPMICおよび充電アプリケーションにも対応するよう設計されています。タワーは、2026年3月23日~25日に米国テキサス州サンアントニオのHenry B. Gonzalez Convention Centerで開催されるAPEC 2026に出展し(ブース番号:#1455)、本技術を紹介します。 AIインフラにおける消費電力はかつてない規模で増加しています。プロセッサ性能の向上に伴い、電力供給は重大なボトルネックとなっており、「AIパワーウォール」として広く認識されています。タワーの第3世代 LDMOS技術は、この課題に対し、高効率な電力供給を可能にし、発熱の低減とシステム全体の性能向上に寄与します。また、大電力トランジスタを多く含む電源管理ICにおいて、ダイサイズの大幅な削減も実現します。 本技術は、モノリシック・スマートパワーステージおよびDrMOSアプリケーションを主な対象としており、同市場は現在約25億ドル規模、2031年には47億ドル以上へと成長すると予測されています(Mordor Intelligence調べ)。今回提供される技術には、AIプロセッサ向けの横方向給電および縦方向給電の双方に対応するために最適化されたパワーデバイス群が含まれ、スイッチング損失および導通損失の極小化を実現します。 タワーは、AIデータセンターにおけるシリコンフォトニクス分野での実績と、先進的な電源管理技術を融合することで、光インターコネクトに加え、AIプロセッサ向けの高効率電源供給分野へとその役割を拡大しています。
About TowerJazz
Tower Semiconductor Ltd. (NASDAQ: TSEM, TASE: TSEM) and its subsidiaries operate collectively under the brand name TowerJazz, the global specialty foundry leader. TowerJazz manufactures next-generation integrated circuits (ICs) in growing markets such as consumer, industrial, automotive, medical and aerospace and defense. TowerJazz’s advanced technology is comprised of a broad range of customizable process platforms such as: SiGe, BiCMOS, mixed-signal/CMOS, RF CMOS, CMOS image sensor, integrated power management (BCD and 700V), and MEMS. TowerJazz also provides world-class design enablement for a quick and accurate design cycle as well as Transfer Optimization and development Process Services (TOPS) to IDMs and fabless companies that need to expand capacity.
To provide multi-fab sourcing and extended capacity for its customers, TowerJazz operates two manufacturing facilities in Israel (150mm and 200mm), two in the U.S. (200mm) and three facilities in Japan (two 200mm and one 300mm). For more information, please visit www.towersemi.com.

