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Press Releases

タワージャズと韓国電気研究院(KERI)がタワージャズの先端0.18um SOIパワープラットフォームでゲートドライバICの試作開始を発表

Home » Press Releases *2018 年 12 月 3 日に発表されたプレスリリースの抄訳です タワージャズと韓国電気研究院(KERI)がタワージャズの先端0.18um SOIパワープラットフォームでゲートドライバICの試作開始を発表 白物家電、電気自動車用アプリケーション向けSiC MOSFET専用の高温、高電圧ゲートドライバIC イスラエル、 ミグダル ハエメクおよび韓国、チャンウォン、2018年12月3日 – グローバルスペシャルティファンドリリーダーのタワージャズは本日、先端技術を用いてパワーおよびエネルギー分野のICやシステム開発を専門とする韓国の政府研究機関である韓国電気研究院(KERI)が、タワージャズの先進のパワーSOI 0.18umプラットフォームを用いたゲートドライバICの試作を開始したことを発表しました。これらのゲートドライバICは、高い電力効率と高い電力密度を伴う電力変換器やインバータが必要な、白物家電、電気自動車などの高温、高電圧用途に適しています。 KERIのゲートドライバICは、高速動作(500kHz)と新たに追加されたショート保護機能を実現したことで、IGBT/SiC MOSFET製品よりも効率的なソリューションになると期待されています。 KERIは単一SiC MOSFETの試作品を完成させ、SiC MOSFETとゲートドライバICの両方を最適化したセットとして提供することでお客様に利点をもたらすことができると期待しています。 タワージャズの200V パワーSOI

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TowerJazz Laddertech

レダーテックが次世代車載向けLiDARにタワージャズの0.18um CIS SPAD技術を採用

Home » Press Releases *2018 年11 月6日に発表されたプレスリリースの抄訳です レダーテックが次世代車載向けLiDARにタワージャズの0.18um CIS SPAD技術を採用 CMOS、CIS、SPADを一チップに統合し、自動運転やADAS分野のお客様に高いパフォーマンスを提供しつつシリコンやコストを削減 イスラエル ミグダルハエメク およびカナダ ケベックシティ、2018年11月6日 – グローバルスペシャルティファンドリリーダーのタワージャズと、拡張性に優れ、使いやすい車載用LiDAR(光検出および測距)開発プラットフォームの業界リーダーであるレダーテックは本日、CMOS、イメージセンサ、SPADを同一チップ上で組み合わせたタワージャズの0.18um CMOSイメージセンサ(CIS)SPAD(単一光子アバランシェフォトダイオード)プロセスがレダーテックの次世代車載向けLiDARソリューションに採用されたことを発表しました。タワージャズのプロセスは高PDE(光子検出効率)、高温にも対応する低DCR(暗計数率)、超低ジッタというクラス最高レベルの性能指数を可能にし、世界で最も優れた組み込みSPADを実現します。 タワージャズの0.18um CIS SPADプラットフォームは卓越した性能指数を有する統合ソリューションを提供します。そのPDEは市場における主要なスタンドアロンのSPADと同等あるいはさらに優れています。また、DCRは60℃で100Hz未満、100℃でも1kHz未満で(特に車載アプリケーションに有効)、ジッタは1ナノ秒未満です。この優れたプラットフォームはシリコンの節約にもなり、結果として量産コストを削減します。 レダーテックのLiDARソリューションによって自動車にアクティブセーフティシステムと半自律運転機能を備えることができ、完全な自動運転への道を開きます。LiDARは、レーダーの原理に基づいて動作するもののレーザーによる光を利用する検知システムで、遠距離でも高解像度での検出が可能なため自動運転に不可欠なものと考えられています。調査会社のIHS Markitによれば、車載向けLiDAR半導体の市場規模は2026年には18億ドルに達し、2018年から2026年までの年間平均成長率は37%になると予測しています。レダーテックのSoCはTier1ベンダーが極めて競争力の高い価格で量産することが可能であり、OEM各社の要件に合わせてカスタマイズされたLiDARシステムを供給します。 タワージャズはマーケットリーダーとの緊密なパートナーシップやロードマップのすり合わせ、そして世界レベルのグローバルカスタマーサービスを通じて開発されるクラス最高のテクノロジーソリューションを提供し、ADASや自動運転の要件を満たすために必要な車載向け半導体コンテンツの急速な拡大に対応しています。常にお客様に柔軟な供給や生産能力を提供できるよう、タワージャズは主要なプロセスについては地理的に離れた少なくとも2つの工場で品質認証を取得しています。 レダーテックの社長兼COOであるFrantz Saintellemy氏は次のように述べています。「当社がタワージャズを選択した理由は技術的知識の深さ、柔軟性の高さ、カスタマイズ能力、そして最高の組み込み技術を有しているからです。タワージャズとの密接な連携によって当社はより迅速にLiDARプラットフォームを市場に投入し、差別化された優れた車載向けLiDAR機能を開発しようというTier1企業に対して他にはない価値ある提案をすることができます」

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Tower Semiconductor Expands its Leading-Edge Power Management Platforms Supporting Higher Power and Higher Voltage ICs
2022

タワーセミコンダクター、高電力・高電圧ICを支える最先端のパワーマネジメントプラットフォームを拡充

Home » Press Releases タワーセミコンダクター、高電力・高電圧ICを支える最先端のパワーマネジメントプラットフォームを拡充 動作電圧を24Vにまで拡張し、オン抵抗を20%低減した第2世代の65nm BCDスケーラブルパワーLDMOS;および素子分離オプションとしてディープトレンチアイソレーション(DTI)を追加することで、125Vまでの動作で最大40%のダイサイズ縮小を可能にした180nm BCDプラットフォームをリリース タワーは、ドイツ、Nürnbergで開催されるPCIMカンファレンス 2022で最新のパワーマネジメント技術について発表 イスラエル ミグダル ハエメク 2022年5月9日 – 高付加価値アナログ半導体ソリューションのリーディングファンドリであるタワーセミコンダクター (NASDAQ/TASE:TSEM)は、本日、最新の65nm BCDの第2世代をリリースしました。動作電圧を24Vにまで拡張し、オン抵抗を20%削減する進化したパワーマネジメントプラットフォームです。さらに、180nm BCDプラットフォームについては、素子分離オプションとしてディープトレンチアイソレーションを追加することで、125Vまでの電圧範囲で最大40%のダイサイズ縮小を可能にしたことを発表しました。今回の発表は、より高い電圧と電力効率を有するパワーICに対する需要が高まっていることに対応しており、2026年までに255億ドルを超えるパワーIC市場(YoleDéveloppement:Yole社による市場調査より)をサポートするタワーのリーディングポジションをさらに強化します。 タワーの65nm BCDプラットフォームは、90nmよりも微細なBCD分野で電力性能、コスト、使い易さにおいて最先端の性能指数を有することが知られています。第2世代の65nm BCDは、LDMOSデバイスのオン抵抗低減によって消費電力とダイサイズ指標を最大20%良化させると同時に、動作電圧上限を16Vから24Vにまで拡張しました。これらの進化は、充電器、高出力モータードライバ、各種電力変換器などの用途に加えて、コンピューティングや消費者市場でのCPUおよびGPU用の高出力電圧レギュレータなどを含むモノリシック高出力変換機の要望にもしっかりと対応しています。 同社の180nm BCDは、適用電圧範囲、素子分離方式、電力性能、ダイサイズ、マスク数などにおいて、業界で最も幅広い選択肢を有する競争力あるプラットフォームです。180nm BCDディープトレンチアイソレーション方式(DTI)は、IC内部でのノイズ耐性を向上させます。この分離オプション追加によってIC用途に応じた分離方式の選択肢が増えることで、柔軟な設計が可能になり、最大40%のダイサイズ削減につながります。これらの特徴は、120V以上の電圧保持ICを必要とする48Vシステムの市場の展開拡大をサポートする戦略に基づくものです。特に、高電圧ゲートドライバ、電力変換器、モータードライバ、自動車用48Vシステムなど、産業用および自動車用アプリケーションに向け、小さなICダイの内部で駆動電圧が異なる複数の回路ブロックを扱う際の絶縁分離性能要望に応えています。 タワーは、2022年5月10日~12日、ドイツ、ニュルンベルクで開催されるPCIM2020に出展します(ブース#6-431)。

About TowerJazz

Tower Semiconductor Ltd. (NASDAQ: TSEM, TASE: TSEM) and its subsidiaries operate collectively under the brand name TowerJazz, the global specialty foundry leader. TowerJazz manufactures next-generation integrated circuits (ICs) in growing markets such as consumer, industrial, automotive, medical and aerospace and defense. TowerJazz’s advanced technology is comprised of a broad range of customizable process platforms such as: SiGe, BiCMOS, mixed-signal/CMOS, RF CMOS, CMOS image sensor, integrated power management (BCD and 700V), and MEMS. TowerJazz also provides world-class design enablement for a quick and accurate design cycle as well as Transfer Optimization and development Process Services (TOPS) to IDMs and fabless companies that need to expand capacity.

To provide multi-fab sourcing and extended capacity for its customers, TowerJazz operates two manufacturing facilities in Israel (150mm and 200mm), two in the U.S. (200mm) and three facilities in Japan (two 200mm and one 300mm). For more information, please visit www.towersemi.com.

Answers to frequently asked questions about TowerJazz.

Facts about TowerJazz technology, design enablement, facilities, customers and history.

TowerJazz PDK Design Analog

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