SiGe BiCMOSテラビットプラットフォーム

タワーセミコンダクターが提供する高性能SiGe BiCMOSテクノロジーは、これからの高周波無線通信および高速ネットワークアプリケーションに最適化されています。業界をリードするこのプラットフォームには、10、100、400GbEデータ通信、24GHz および 77GHzの自動車用レーダーや5Gミリ波などの高周波無線アプリケーションに用いられるFt/Fmax 325/450GHzを超える高速トランジスタを含んでいます。 このプラットフォームは、スマートフォンやGPSワイヤレスレシーバ用の低ノイズトランジスタと、モバイルおよびIoTワイヤレストランスミッタ用の高出力トランジスタも提供できます。

タワーセミコンダクターで現在最も多く利用されているSiGe BiCMOSの量産プロセスはSBC18H5で、トランスインピーダンスアンプ（TIA）、レーザドライバ(LD)、リミティングアンプ(LA)、クロックデータリカバリ(CDR)などの400Gb/sまたはそれ以上のデータレートを持つ光ファイバトランシーバコンポーネントに理想的なプロセスです。

また、受信機に適した低ノイズ性能（40GHzで 1.3dB以下）、送信機に適したハイダイナミックレンジ、および同等レベルの性能を持つCMOSプロセスと比較しても低コストであるため、ミリ波のフェイズドアレイアプリケーションに最適です。例えば、60GHzで43 dBmの（EIRP）を出力する256送信素子を搭載した世界最大のシングルチップ フェイズドアレイは、SBC18H3プロセスで作られました（Zihir et al. RFIC 2015）。当社のSBC18H5プロセスは、現在、次世代800Gb/sのデータネットワークに採用されています。