SiGe BiCMOSテラビットプラットフォーム

300GHzを超えるFt/Fmax高性能SiGe BiCMOSテクノロジー

タワーセミコンダクターが提供する高性能SiGe BiCMOSテクノロジーは、これからの高周波無線通信および高速ネットワークアプリケーションに最適化されています。業界をリードするこのプラットフォームには、10、100、400GbEデータ通信、24GHz および 77GHzの自動車用レーダーや5Gミリ波などの高周波無線アプリケーションに用いられる300GHzを超える高速トランジスタを含んでいます。 このプラットフォームは、スマートフォンやGPSワイヤレスレシーバ用の低ノイズトランジスタと、モバイルおよびIoTワイヤレストランスミッタ用の高出力トランジスタも提供できます。

タワーセミコンダクターで現在最も多く利用されているSiGe BiCMOSの量産プロセスはSBC18H3で、トランスインピーダンスアンプ(TIA)、レーザドライバ(LD)、リミティングアンプ(LA)、クロックデータリカバリ(CDR)などの25Gb/sまたはそれ以上のデータレートを持つ光ファイバトランシーバコンポーネントに理想的なプロセスです。

また、受信機に適した低ノイズ性能(40GHzで 2dB以下)、送信機に適したハイダイナミックレンジ、および同等レベルの性能を持つCMOSプロセスと比較しても低コストであるため、ミリ波のフェイズドアレイアプリケーションに最適です。例えば、60GHzで43 dBmの(EIRP)を出力する256送信素子を搭載した世界最大のシングルチップ フェイズドアレイは、SBC18H3プロセスで作られました(Zihir et al. RFIC 2015)。当社のSBC18H5プロセスは、現在、次世代400Gb / sのデータネットワークに採用されています。

プラットフォームの特徴: 

  • 超低ノイズ、リニアリティの良いトランジスタ
  • 0.35μm、0.18μmおよび 0.13μmのCMOSプロセス
  • シングルおよびデュアルゲートCMOSによる高度なミックスドシグナルとロジックのインテグレーション
  • SiGe HBTトランジスタ(Ft/Fmax 300GHz以上)
  • 高速縦型 PNP トランジスタ (Ft~23GHz)および~16VのBiCMOS
  • 高容量の MIM キャパシタ (~5.6fF/µm2)
  • バラクタ、ポリ・メタル抵抗、High-Qインダクタ、ディープトレンチとトリプルウェルアイソレーション
  • AIおよびCu配線で7層メタルまで対応
  • 充実したスタンダードセルライブラリ
  • I/O ライブラリ
  • メモリジェネレータ
  • SynopsysとCadenceのASICフロー
  • スタンドアローンCadence PDKまたはADSとのインターオペラビリティ
  • オンチップのワイヤレスフロントエンドモジュールを実現

SiGe BiCMOS 対象市場