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Home » Press Releases ※本リリースは2026年9月17日に発表された英文プレスリリースの抄訳です。 NewPhotonics®とTower Semiconductor、スケールアウト／スケールアップAIインターコネクト向けレーザー統合型の保守可能な光エンジンPICの量産出荷を開始 モノリシックレーザーとSOA、変調器、受光器を高密度に集積できるPH18DAプラットフォームを用いて、800Gから1.6Tクラスのフォトニック集積回路（PIC）の量産技術を実用化しました。これらのPICは、従来のプラガブル光モジュールや、CPX MSA規格に準拠したNPO（Near Package Optics）ソケット型光モジュール向け製品として商用展開されています。 イスラエル、ミグダル・ハエメクおよびテルアビブ、2026年9月17日 – 高付加価値アナログ半導体ソリューションの大手ファウンドリである タワーセミコンダクター（NASDAQ/TASE：TSEM）と、革新的なフォトニックICチップ・ソリューションを提供するファブレス半導体企業NewPhotonics®は本日、AIインフラにおいて急速に高まる広帯域かつエネルギー効率に優れた光インターコネクト需要に対応する、レーザー統合型で保守対応可能な光エンジンの量産出荷を開始したと発表しました。 本PIC光エンジン・チップは、FRO/LRO/LPOやExtra-Dense Packaged Optics（XPO）を採用したプラガブル・トランシーバー・モジュールから、Near-Packaged Optics（NPO）のソケット・プラガブル用途まで、幅広いOEMソリューションをサポートします。現在量産出荷中のPICは800Gから1.6Tのデータレートに対応しており、今後はスケールアウトおよびスケールアップ・アーキテクチャに適した6.4T NPOソリューションの量産を予定しています。 本協業では、InP部品のヘテロジニアス集積に対応する量産向けPH18DAシリコンフォトニクス（SiPho）技術プラットフォームを活用し、レーザー、半導体光増幅器（SOA）、変調器、フォトディテクターを単一のフォトニック集積回路上にモノリシック集積します。この高度に集積された光信号処理を中心としたアプローチにより、複雑性と製造ばらつきを低減し、最先端のフォトニックデバイスにおける歩留まりと信頼性を向上させ、市場投入までの期間短縮に貢献します。 NewPhotonicsのNPG102フォトニック集積回路（PIC）は、800Gおよび1.6T向け製品として量産出荷が始まっています。これらの製品は、1レーンあたり200Gbpsの高速伝送に対応し、レーザーをモノリシックPIC上に異種集積することで、顧客は単一の統合アーキテクチャ上で高度な光信号処理を実現できます。その結果、低消費電力、高い帯域密度、そして安定した量産品質を実現しています。さらに、CPX-MSA規格に準拠した6.4T向けNPC505チップセットは、2027年前半（1H27）から量産出荷を開始する予定です。 NewPhotonicsのシニア・バイスプレジデント兼ゼネラルマネージャーであるDoron Talは、次のように述べています。 「AIインフラの次の段階では、生産規模と性能の両面でスケーラブルな光接続が求められます。Towerとの協業により、レーザー統合フォトニクスを、実用的かつ量産供給可能な選択肢へと転換しています。当社の光チップ設計とTowerの製造プラットフォームを組み合わせることで、より広帯域でエネルギー効率に優れた高度集積システムを、OEMのお客様およびデータセンター市場にいち早く提供します。」 Tower

Home » Press Releases ※本リリースは2026年9月15日に発表された英文プレスリリースの抄訳です。 タワーセミコンダクター、ECOC 2026にてAIインフラ、通信および次世代アプリケーション向け量産対応シリコンフォトニクス／SiGeソリューションを紹介 イスラエル・ミグダルハエメク、2026年9月15日 – 高付加価値アナログ半導体ソリューションのリーディングファウンドリーであるタワーセミコンダクター（NASDAQ/TASE：TSEM）は本日、2026年9月21日から23日までスペイン・マラガのFYCMAで開催されるECOC 2026に、ブースC1014で出展することを発表しました。会期中は当社担当者が個別ミーティングに対応し、現在および将来のシリコンフォトニクス技術ロードマップについてご説明します。 タワーセミコンダクターは、データセンターおよび通信向け光トランシーバーに加え、次世代AIクラスターアーキテクチャ向けのNear-Packaged Optics（NPO）およびCo-Packaged Optics（CPO）、DWDMレーザー、光回路スイッチング、フィジカルAI向けFMCW LiDAR、量子コンピューティングなどの高成長アプリケーションで幅広く採用されている、量産対応の高性能シリコンフォトニクス・プラットフォームを紹介します。また、次世代AIインフラで求められる、より広帯域、低遅延、低消費電力へのニーズに対応するため、SiPhoプラットフォームを補完するシリコンゲルマニウム（SiGe）BiCMOSソリューションも紹介します。 タワーセミコンダクターの先進的なシリコンフォトニクス（SiPho）プラットフォームおよびRF & HPA技術の詳細は、こちらをご覧ください。 タワーセミコンダクターについて タワーセミコンダクター株式会社（NASDAQ/TASE：TSEM）は、高付加価値アナログ半導体ソリューションのリーディングファウンドリーとして、コンシューマー、産業機器、車載、モバイル、インフラ、医療、航空宇宙・防衛などの成長市場のお客様に、技術、開発、プロセス・プラットフォームを提供しています。タワーセミコンダクターは、長期的なパートナーシップと先進的かつ革新的なアナログ技術の提供を通じて、世界に持続可能で前向きなインパクトをもたらすことに注力しています。SiPho、SiGe、BiCMOS、ミックスドシグナル／CMOS、RF CMOS、CMOSイメージセンサー、非画像センサー、ディスプレイ、統合パワーマネジメント（BCDおよび700V）など、カスタマイズ可能なプロセス・プラットフォームを幅広く提供しています。また、迅速かつ高精度な設計サイクルを実現する世界トップクラスの設計支援に加え、IDMおよびファブレス企業向けに、開発、移管、最適化を含むプロセス移管サービスも提供しています。お客様に複数ファブからの調達と拡張された生産能力を提供するため、現在、イスラエルに1拠点（200mm）、米国に2拠点（200mm）の稼働施設を所有しているほか、TPSCoへの51％の出資を通じて日本に2拠点（200mmおよび300mm）を所有し、イタリア・アグラテの300mm施設をSTMicroelectronicsと共同運営しています。詳細はwww.towersemi.comをご覧ください。 Safe Harbor Regarding Forward-Looking Statements

Home » Press Releases ※本リリースは2026年8月11日に発表された英文プレスリリースの抄訳です。 OpenLightとタワーセミコンダクター、PH18DAフォトニクス・エコシステムを 拡張しフォトニックIC開発を加速   OpenLightのPDKがCadenceのEDAツールに対応し、タワーセミコンダクターのPH18DA InP-on-Siliconフォトニクス・プラットフォーム向けPIC開発を実現 米国カリフォルニア州サンタバーバラおよびイスラエル・ミグダルハエメク、2026年8月11日 – ヘテロジニアスIII-V-on-Siliconフォトニクス集積およびカスタムPASIC（Photonic Application-Specific Integrated Circuit）のリーディングカンパニーであるOpenLightと、高付加価値アナログ半導体ソリューションを提供するリーディングファウンドリーのタワーセミコンダクター (NASDAQ/TASE: TSEM) は本日、OpenLightのフォトニクス向けプロセス設計キット（PDK）が、Cadenceの電子設計自動化（EDA）ツール上で、タワーセミコンダクターのPH18DAインジウムリン（InP）-on-Siliconフォトニクス・プラットフォームに対応したことを発表しました。両社の緊密な技術協力により開発されたこのPDKにより、お客様は広く採用されているIC設計環境の中で高度なフォトニック集積回路（PIC）を設計できるようになり、量産化に向けた開発を加速します。 PH18DAエコシステムは、OpenLightのフォトニクスIP、タワーセミコンダクターのプロセスおよび製造技術、さらにCadenceの先進EDAツールを結集したものです。これにより、高度なフォトニックIC開発を効率化するとともに、フォトニクス設計を既存の電子IC設計および製造フローにより近づけることが可能になります。OpenLightのCEOであるAdam Carter博士は次のように述べています。 「PDKをCadenceツール上で利用可能にすることで、お客様は先進IC開発で利用している設計環境と同じ環境の中でフォトニック集積回路を設計できるようになります。この統合により量産化への導入が容易になり、PH18DAプラットフォームにおける設計から量産までのプロセスがさらに強化されます。」 OpenLightのPDKを用いて設計された製品は、タワーセミコンダクターのPH18DA InP-on-Siliconフォトニクス・プラットフォームで製造することができます。同プラットフォームでは、レーザー、変調器、光増幅器などのアクティブフォトニクス部品を単一のモノリシックPICに集積することが可能です。また、光インターコネクト、AIインフラ、センシングなどの用途に向けた先進的な光システムをサポートします。タワーセミコンダクターのCustomer Design Enablement