In The News

タワーセミコンダクター、日本における総事業規模6,000億円超の　　　戦略的投資計画を発表

タワーセミコンダクター、日本における総事業規模6,000億円超の　　　戦略的投資計画を発表

July 14, 2026

Home » Press Releases タワーセミコンダクター、日本における総事業規模6,000億円超の戦略的投資計画を発表 拡大するAIデータセンター需要に対応し、日本における300mmシリコンフォトニクスおよび　　　 シリコンゲルマニウムの生産能力を増強 イスラエル・ミグダル・ハエメク、2026年7月14日 — 高付加価値アナログ半導体ソリューションを提供する大手ファウンドリであるタワーセミコンダクター（NASDAQ/TASE: TSEM、以下「Tower」）は本日、日本政府の支援を受け、日本における戦略的投資計画を発表しました。本計画では、富山県魚津市および新潟県妙高市において、300mmシリコンフォトニクス（SiPho）、シリコンゲルマニウム（SiGe）ならびに先端パッケージングに関する研究開発および製造能力を拡充します。 本計画において、Towerは、日本政府による支援を考慮したネットベースで最大30億米ドルの投資を見込んでいます。最大約1,600億円の支援を含め、総事業規模は6,000億円を超える見通しです。 本計画は、日本およびグローバル市場で見込まれる中長期的な顧客需要に対応するとともに、Towerの日本における製造基盤を大幅に強化することを目的としています。また、先端半導体の研究開発および製造拠点としての日本の位置づけを更に高め、サプライチェーンの強靭化を図るとともに、国内半導体エコシステムの継続的な発展を支援するものです。 第一段階として、Towerは、旧Fab 6である新潟県妙高市の新井工場を、300mmシリコンフォトニクスおよび先端パッケージングのプラットフォームとして活用する予定です。併せて、富山県魚津市のFab 7における300mm製造能力を最大限に活用します。Towerは、2027年第4四半期中に量産能力を確立し、日本および世界の顧客に対して、迅速かつ信頼性の高い供給拡大を実現することを見込んでいます。 第二段階として、関連契約の締結およびクロージングを経たうえで、TowerはFab 7に隣接する新たな300mm製造施設の建設を計画しています。同新施設により、TowerのSiPhoおよびSiGeの生産能力は大幅に拡大し、AIおよびデータセンター用途、ならびに次世代光接続技術に牽引される加速的な需要に対応することが期待されます。 顧客との取り組み拡大および複数世代にわたる戦略的パートナーシップを通じて達成された重要な技術的マイルストーンを踏まえ、新施設は2029年以降、高い収益貢献が期待されています。また、光関連分野における強いリーダーシップを示し、従業員が長期にわたり誇りを持って働ける環境と高い顧客満足の実現を促進するとともに、長期的な事業継続性を確保するビジネスモデルの構築を目指します。 Tower Semiconductor最高経営責任者（CEO）のラッセル・エルワンガーは、次のように述べています。 「日本政府が、これらの戦略的に重要な技術の拡大を主導する企業としてTowerを選定されたことを大変光栄に思うとともに、深く感謝申し上げます。また、富山県、新潟県、関係自治体および地域の皆様からの継続的なご協力に心より感謝いたします。 本支援を受け、Towerは、当社の差別化された技術と、パナソニックの半導体製造事業を取得後発足したタワーパートナーズセミコンダクター（TPSCo）が日本で培ってきた世界水準の製造能力、品質文化および継続的改善の知見を結集します。これにより、日本においてSiPho、SiGeおよび先端光パッケージングに関する高度に差別化された研究開発および量産プラットフォームを構築します。この取り組みにより、Towerは今後数十年にわたりイノベーションと経済成長に貢献するとともに、高付加価値アナログ半導体ソリューションにおけるリーダーシップをさらに強化してまいります。 本投資は、富山県および新潟県との連携を一層深め、地域の半導体インフラおよびサプライチェーンを強化し、質の高い雇用の維持・創出、次世代技術人材の育成、地域企業ならびに日本の主要大学・研究機関との連携拡大にも寄与するものです。 生産能力および実行面において、第一段階は2028年までに効率的に生産能力を拡大するための短期的な道筋を提供します。第二段階では、新施設を既存のFab 7インフラと接続し、一体化された工場として運用することを想定しています。このアプローチは、通常、長期にわたる顧客承認プロセスを必要とする一からの工場建設や、他の工場へ製品移管と比較して、より迅速かつ効率的に量産へ移行できる道筋を提供するものと期待されます。これにより、顧客の成長を支援し、Towerの事業運営上の柔軟性およびキャッシュフローの見通しを高めるとともに、2028年以降の継続的成長に向けた明確な道筋を示します。

Read More »
Tower Semiconductor and Marvell Ship Over Five Million Coherent Photonic ICs

Tower SemiconductorとMarvell、コヒーレント・フォトニックICの出荷数が 500万個を突破

June 18, 2026

Home » Press Releases ※本リリースは2026年6月18日に発表された英文プレスリリースの抄訳です。 Tower SemiconductorとMarvell、コヒーレント・フォトニックICの出荷数が 500万個を突破 Towerの先進的なシリコンフォトニクス・プラットフォームが、高帯域かつエネルギー効率に優れた データセンターコネクトを実現 イスラエル・ミグダル ハエメク、2026年6月18日 ― 高付加価値アナログ半導体ソリューションの主要ファウンドリであるタワーセミコンダクター（NASDAQ/TASE: TSEM）は本日、Marvell Technologyとの協業において重要なマイルストーンを達成したことを発表しました。タワーは、Marvellのグローバル顧客向けにコヒーレント・フォトニック集積回路（PIC）を累計500万個以上出荷しました。これにより、AIの普及に伴いデータセンター間接続（DCI）ネットワークで高まる大容量化と高効率化のニーズに応える、先進的かつ高性能なフォトニクス・ソリューションを提供しています。 コヒーレントPICは、光の振幅だけでなく、位相および偏波も精密に制御する必要があるため、非常に高度な技術を要します。そのため、設計および製造プロセスに求められる要件は、よりシンプルな直接検波方式のチップと比較して、格段に高いものとなります。 タワーセミコンダクター RF事業部バイスプレジデント兼ゼネラルマネージャーのDr. Ed Preislerは、次のように述べています。「光トランシーバーの用途と要求性能が進化し続ける中、フォトニクス・プラットフォームもそれらのニーズに対応して進化していく必要があります。これは、特にコヒーレント光トランシーバーの分野において重要です。当社は、この分野の最前線に立ち続けるため、Marvellと協業できることを誇りに思います。」 タワーはMarvellと連携し、次世代コヒーレント技術の進化を推進してきました。具体的には、非シリコン材料の集積、電子回路の3D集積、V字溝などの先進的な光パッケージング技術の実現といったプロセス能力を高めることで、シリコンフォトニクス・プラットフォームの性能および機能のさらなる向上に貢献しています。 Marvellのオプティカル・エンジニアリング担当シニアバイスプレジデント兼最高技術責任者（CTO）であるDr. Radha Nagarajanは、次のように述べています。「今回のマイルストーンは、両社の協業関係の強さを示すものです。タワーセミコンダクターは当社にとって重要なエコシステム・パートナーの一社であり、データセンター・アーキテクチャ全体に展開可能な次世代コヒーレント技術をさらに発展させるため、今後もタワーチームとの協業を継続していきます。これにより、お客様に最新の高効率かつ高性能なフォトニクス技術を提供し、高度なAI処理を支えてまいります。」 タワーセミコンダクターのSiPho技術プラットフォームに関する詳細情報は、こちらをご覧ください。

Read More »
IQE and Tower Semiconductor Announce Multi-year InP epiwafer Supply Agreement

IQEとタワーセミコンダクター、InPエピウェハ供給に関する複数年契約を締結

June 15, 2026

Home » Press Releases ※本リリースは2026年6月15日に発表されたリリースを訳したものです。 IQEとタワーセミコンダクター、InPエピウェハ供給に関する複数年契約を締結 – InPシリコンフォトニクス技術の計画的成長を支援 – 両社間の知的財産紛争を全面的に解決 英国カーディフおよびイスラエル・ミグダルハエメク、2026年6月15日 — 化合物半導体ウェハ製品および先進材料ソリューションの世界的リーディングサプライヤーであるIQE plc（AIM: IQE、以下IQE）と、高付加価値アナログ半導体ソリューションのリーディングファウンドリであるタワーセミコンダクター（NASDAQ/TASE: TSEM）は本日、AI主導型データセンターインフラ向け光接続ソリューションに使用されるInPエピウェハの供給に関する複数年契約を締結したことを発表しました。 IQEのInPエピウェハは、次世代光技術向けのタワーの先進シリコンフォトニクスプラットフォームに採用され、タワーの製品ロードマップを支える高品質な供給基盤を提供します。両社の協業には、プラガブル光トランシーバ向け200Gbps/レーン技術や、次世代400Gbps/レーン光変調器の試作開発に加え、データセンター向け光回路スイッチ（Optical Circuit Switches）などの重要アプリケーションが含まれます。 本契約には、初年度におけるタワーによる最低購入数量のコミットメント、IQEによる相互供給保証、およびその後の最低供給数量に関する取り決めが含まれています。 また、別途締結された契約に基づき、タワーは両社間で知的財産権紛争の対象となっていたポーラスシリコン（Porous Silicon）関連特許について、全世界を対象とするロイヤルティフリーの包括的ライセンスをIQEへ供与します。これにより、当該案件に関するすべての訴訟および紛争は解決されます。 IQEの最高経営責任者（CEO）であるJutta Meier氏は次のように述べています。 「シリコンフォトニクス分野をリードするタワーとの協業を前進させることができ、大変嬉しく思います。本契約は、グローバルなTier 1ハイパースケールクラウドおよびAIインフラ市場におけるIQEのポジションをさらに強化するものです。数十年にわたるInPエピタキシャル技術の専門知識と確立された量産能力を活かし、イノベーション段階から商用展開へと進化する次世代光接続アプリケーションを支援してまいります。」

Read More »