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Home » Press Releases ※本リリースは2025年11月12日に発表されたリリースを訳したものです タワーセミコンダクターが世界をリードするシリコンフォトニクス技術やEIC光プラットフォーム技術で利用可能な新しいCPOファンドリ技術を発表 タワーの長年蓄積されたBSIセンサー製造ノウハウを活用し、SiPhoプロセスとEICプロセスを統合したウェハスケール3DIC技術を実現。これにより、コパッケージドオプティクス（CPO）などの新しいアプリケーションへの対応が可能となり、Cadence設計ツールによる積層プラットフォーム技術の完全なサポートを提供 イスラエル ミグダルハエメク — 2025年11月12日 — 高付加価値アナログ半導体ソリューションのリーディングファンドリであるタワーセミコンダクター（NASDAQ/TASE: TSEM）は本日、積層型BSIイメージセンサ向けに開発され、既に量産実績を持つ300mmウェハボンディング技術を拡張し、業界をリードするシリコンフォトニクス（SiPho）やSiGe BiCMOSプロセスを組み合わせたヘテロジニアス3D-ICインテグレーションを可能にする新技術を発表しました。この新技術は、Cadence設計ツールによる積層プラットフォーム技術の完全なサポートも含まれ、複数のPDKを同時に使用する必要があるウェハスケール3D統合を、イメージセンサ分野以外の新たな領域へ拡大する大きな一歩となり、データセンターアプリケーション向けの小型・高性能システムへの高まる需要に対応します。 200mmおよび300mmウェハでの積層型センサー量産で培った長年の実績を基盤に、タワーのウェハボンディング技術は、SiPho（PIC：フォトニックIC）とSiGe（EIC：エレクトロニックIC）を組み合わせるといった異種類のウェハを積層し、ウェハレベルで完全に統合された3D-ICを実現します。この技術により、異なるプロセス技術で実装された特定用途向けの機能を単一の高密度チップに集積でき、より高い機能性と性能を極小のフォームファクタで提供します。こうしたウェハスケール3D-IC技術は、PICとEICを融合するCo-Packaged Optics（CPO）など、コンパクトかつ高性能なインテグレーションが求められる新しいアプリケーション分野をサポートします。 タワーセミコンダクターの社長であるDr. Marco Racanelliは次のように述べています。「当社がCIS技術において長年培ってきた大規模なウエハスタッキングの経験が、3Dインテグレーション技術の次なる進化の基盤となりました。当社の先進的な300mmウェハボンディングプロセスは、複数のウェハ技術を単一の3D-IC上で統合することで、CPOに求められる新たなレベルの性能、機能、そして集積度をお客様が実現できるようサポートします。」 タワーはすでにウェーハボンディングプロセスの高精度なアライメントと信頼性を実証しています。このプロセス技術を補完するために、タワーはCadence Design Systemsと協力し、統一された設計環境内で複数のプロセス技術の共同シミュレーションと共同検証を可能にするVirtuoso Studio Heterogeneous Integrationフローを拡張しました。この強化されたデザインイネーブルメント力は、現在、お客様がリファレンスフローとしてご利用いただけます。