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Tower Semiconductor Releases 300mm 65nm 3.3V-Based BCD Power Management Platform

タワーセミコンダクター、300mm 65nm 3.3VベースBCDパワーマネジメントプラットホームをリリース

Home » Press Releases ※本リリースは2024年12月23日に発表されたリリースを訳したものです タワーセミコンダクター、300mm 65nm 3.3VベースBCDパワーマネジメントプラットホームをリリース モバイル、A I、データセンタアプリケーション向けに、単一のパワーマネジメントプラットホームで高効率電力、高性能アナログ、高密度デジタルを実現 イスラエル ミグダル ハエメク2024年12月23日– 高付加価値アナログ半導体ソリューションのリーディングファンドリであるタワーセミコンダクター(NASDAQ/TASE: TSEM)は、本日、300mm 65nm 3.3Vベースの新しいBCDパワーマネジメントプラットフォーム、PMLを発表しました。これは、日本ですでに量産されており、米国ニューメキシコ州のアルバカーキの製造拠点で認証中の5Vベースの製品に続くものです。この新しい最先端のプラットフォームは、モバイルデバイスの厳しい低電圧要件に対応するとともに、AIおよびデータセンターアプリケーションにおける高電力効率と電力密度に対する高まる需要にも対応します。 この最先端の300mm BCD プロセスであるPMLは、超低オン抵抗とクラス最高の性能指数を持つLDMOSデバイスで構成されており、高速スイッチングコンバータ用の最高の電力変換効率を実現します。さらに、広範な電圧範囲と公称3.3Vのゲート電圧を持つパワーデバイスを備えており、PMIC、オーディオIC、GPUおよびCPU用の高出力電圧レギュレータなどの製品に対応して実質的にオーバードライブおよびアンダードライブが可能です。これらの利点により、ユーザは、電力消費において優れたパフォーマンスを実現し、バッテリ駆動アプリケーションにおいてバッテリ寿命を延ばすことができます。 パワーマネジメント事業部ジェネラルマネジャーのShimon Greenbergは次のように述べています。「当社の新しいPMLプラットフォームは、最先端のパワーマネジメントテクノロジーソリューションを提供するタワーセミコンダクターの数々の成功の一例です。このプラットフォームは先進的なパワーマネジメントアプリケーション向けに特別に設計されており、戦略的モバイル、AI、データセンタ市場の進化する需要に対応するとともに、業界をリードし、かつ競争力のある最先端の製品開発を可能にします。」 タワーセミコンダクターのパワーマネジメントテクノロジープラットフォームについての詳細はこちらをご覧ください。 タワーセミコンダクターについて タワーセミコンダクター株式会社(NASDAQ:TSEM,TASE:TSEM)は、高付加価値のアナログ半導体ソリューションのファンドリ リーダーとして、コンシューマー、産業機械、車載用、モバイル、インフラ、医療用、航空宇宙・防衛などの成長市場で集積回路

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Tower Semiconductor Releases 300mm Silicon Photonics Process as a Standard Foundry Offering

タワーセミコンダクター、300mmシリコンフォトニクスプロセスを標準ファンドリサービスとしてリリース

Home » Press Releases ※本リリースは2024年11月26日に発表されたリリースを訳したものです タワーセミコンダクター、300mmシリコンフォトニクスプロセスを標準ファンドリサービスとしてリリース 次世代データ通信アプリケーションのニーズの変化に対応した業界トップクラスの性能を実現 ミグダル ハエメク、イスラエル、2024年11月26日-高付加価値アナログ半導体ソリューションのリーディングファンドリであるタワーセミコンダクター(NASDAQ/TASE: TSEM)は本日、新たに300mmシリコンフォトニクス(SiPho)プロセスを標準ファンドリサービスとしてリリースしたこと発表しました。この先端プロセスは、現在量産されているタワーの定評ある200mm (PH18) プラットフォームを補完するもので、次世代データ通信アプリケーション向けの高速データ通信の高まるニーズに応えるため、お客様に最先端のソリューションを提供します。 この独自の300mmプロセスは業界最高クラスのシリコン導波路と最先端の低損失窒化シリコン導波路が採用されています。200mmから300mmへとウェハサイズを大きくすることで、業界標準のOSAT (Outsourced Semiconductor Assembly and Test)プラットフォームとの高い互換性を実現し、電子部品とのシームレスな統合が容易になることで、全体的な効率を向上させます。 RF事業部のバイスプレジデント兼ジェネラルマネジャーのDr. Edward Preisler氏は次のように述べています。「私たちは、この新しい高度なシリコンフォトニクスプロセスを発表できることを誇りに思います。このプロセスは、既存のお客様が300mmウェハを用いた次世代技術への移行をシームレスに進める道を提供します。このプロセスは、タワーの業界をリードする200mm SiPhoプラットフォームの継続的な改良とお客様への供給の柔軟性をさらに高めるものです。」 タワーのRF & HPAテクノロジープラットフォームの詳細については、こちらをご覧ください。 タワーセミコンダクターについて

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Tower Semiconductor Begins Production of 1.6Tbps Optical Transceivers on its Latest Silicon Photonics Platform

タワーセミコンダクターが最新のシリコンフォトニクスプラットフォームで1.6Tbps光トランシーバの製造を開始

Home » Press Releases ※本リリースは2024年11月19日に発表されたリリースを訳したものです タワーセミコンダクターが最新のシリコンフォトニクスプラットフォームで1.6Tbps光トランシーバの製造を開始 AIやクラウドコンピューティング、データセンター向けの、より高速で大容量のソリューションへの急増する需要に対応するため、現行の800Gbps高帯域トランシーバーの速度を2倍に向上 ミグダル ハエメク、イスラエル、2024年11月19日-高付加価値アナログ半導体ソリューションのリーディングファンドリであるタワーセミコンダクター(NASDAQ/TASE: TSEM)は本日、最新のシリコンフォトニクス(SiPho)のプラットフォームを基盤とした1.6 Tbpsシリコンフォトニクス製品の量産開始を複数の主要顧客向けに発表しました。タワーの最新プラットフォームには、現行の800Gbpsの量産製品と比較してデータレートを2倍に向上させる革新的技術が含まれています。これらの革新的技術は、この強化されたプラットフォーム上で画期的な1.6Tbps製品を設計し、現在では量産発注を開始していただいている複数のTier 1顧客との緊密な協力のもとで開発されました。 このプロセスは、1レーンあたり200Gbpsのデータレートに対応しており、8レーンを並列に構成することで、トランシーバー全体で1.6Tbpsのスループットを実現しています。これは、現在の800Gbps量産製品で使用されている既存の量産シリコンフォトニクス技術における1レーン当たり100Gbpsのデータレートと比較して大きな進歩となります。 Coherent社のトランシーバーエンジニアリング部門、バイスプレジデントのDr. Jack Xu氏は次のように述べています。「当社はこのたび、8x100Gトランシーバーの量産拡大に加えて、シリコンフォトニクス技術を基盤とした1. 6Tbps光トランシーバーを発表しました。タワーセミコンダクター社という強力なパートナーを得ることができたことを大変喜ばしく思います。タワーセミコンダクター社は、革新的な先進技術を市場に投入する支援が可能であり、また、シリコンフォトニクス製品を量産化へと展開した実績を持っているため、お互いの顧客にとって有益となります。」 タワーセミコンダクター社の量産シリコンフォトニクスプラットフォームは、高帯域光変調器や、レーザーから光ファイバーへの低損失エッジカップリングなど高データレート光トランシーバーに必要な主要な機能をすべて提供します。これらの機能は、高速データ通信コンポーネントの開発において重要な役割を果たし、業界の1レーンあたり100Gbsから200Gbs以上への移行を強力にサポートします。 タワーセミコンダクターの社長であるDr. Marco Racanelliは次のように述べています。「この成果を発表し、高速データ通信分野のリーダーであるCoherent社のような優れた企業に採用されることを大変嬉しく思います。タワーセミコンダクターは常に、お客様がそれぞれの市場を形成し、発展させることを可能にする最先端の技術ソリューションの提供に注力しています。」 タワーのRF & HPAテクノロジープラットフォームの詳細については、こちらをご覧ください。 タワーセミコンダクターについて タワーセミコンダクター株式会社(NASDAQ:TSEM,TASE:TSEM)は、高付加価値のアナログ半導体ソリューションのファンドリ

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