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Home » Press Releases ※本リリースは2025年7月8日に発表されたリリースを訳したものです タワーセミコンダクターとpSemi、IMS 2025で権威ある業界論文賞を受賞 受賞論文は広帯域RFスイッチにおける画期的な技術革新を紹介し、タワーの先進的なRFフロントエンド技術におけるリーダーシップをさらに強化 イスラエル、ミグダル ハエメク-2025年7月8日– 高付加価値アナログ半導体ソリューションのリーディングファンドリであるタワーセミコンダクター（NASDAQ/TASE: TSEM）は本日、2025 IEEE International Microwave Symposium（IMS）において、pSemiとの共著による論文「PCM RFスイッチおよび統合CMOSドライバを用いた低損失・広帯域0–110 GHz SPDT」が業界論文賞(Industry Paper Competition Award)を受賞したことを発表しました。この論文は、2025年6月19日に開催されたIMSの「革新的なRFスイッチ、バラクタ、モジュレーター技術」セッションで発表され、同カテゴリーにおける最優秀論文賞を受賞し高く評価されました。 今回の受賞は、タワーのPCM RFスイッチがRFスイッチ技術における重要なブレークスルーであることを示すものです。このスイッチは、帯域幅（DC〜110 GHz）、挿入損失（2 dB未満）、電力処理能力（30

Home » Press Releases ※本リリースは2025年6月3日に発表されたリリースを訳したものです タワーセミコンダクターがIMS 2025で高周波ファンドリテクノロジーの最新イノベーションを発表 pSemi社と共同開発した次世代RFスイッチ技術の論文が「最優秀産業論文賞」にノミネート イスラエル、ミグダル ハエメク、2025年6月3日-高付加価値アナログ半導体ファンドリソリューションのリーダーであるタワーセミコンダクターは本日、カリフォルニア州サンフランシスコで6月16～21日に開催されるInternational Microwave Symposium(IMS) 2025に参加し、同社の先端のRF & HPAテクノロジープラットフォームとRFスイッチの最新技術を紹介することを発表しました。このカンファレンスの技術プログラムの中でpSemi社と共同発表する論文:「A Low-Loss, Wideband, 0–110 GHz SPDT Using PCM RF Switches with Integrated